ICP刻蝕機(jī)的檢測(cè)技術(shù)

預(yù)報(bào)式檢測(cè)

隨著主流半導(dǎo)體工藝技術(shù)由0.18 μm 逐漸轉(zhuǎn)移到0.13 μm工藝，以及較新的90 nm 工藝成功研發(fā)及投入使用。半導(dǎo)體器件的特征尺寸進(jìn)一步減小，柵氧層的厚度越來(lái)越薄。90 nm工藝中，柵氧層的厚度僅為1.2 nm。如果等離子體刻蝕工藝控制不好，化學(xué)氣相沉積設(shè)備價(jià)格， 則非常容易出現(xiàn)柵氧層的損傷；同時(shí)， 所使用的晶片尺寸增至300mm， 暴露在等離子體轟擊下的被刻蝕面積不斷縮小，化學(xué)氣相沉積設(shè)備，所檢測(cè)到的終點(diǎn)信號(hào)的強(qiáng)度下降，化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià)，信號(hào)的信噪比降低。所有這些因素都對(duì)終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)本身及其測(cè)量結(jié)果的可靠性提出了更加嚴(yán)格的要求。在0.18 μm工藝時(shí)，使用單一的OES檢測(cè)手段就可滿足工藝需求;進(jìn)入0.13 μm 工藝后，就必須結(jié)合使用OES 及IEP 兩種檢測(cè)手段。由于IEP技術(shù)可以在刻蝕終點(diǎn)到達(dá)之前進(jìn)行預(yù)報(bào)，因而被稱為預(yù)報(bào)式終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)。

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化學(xué)氣相沉積的過(guò)程介紹

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具體說(shuō)來(lái)，基于輝光放電方法的PECVD技術(shù)，能夠使得反應(yīng)氣體在外界電磁場(chǎng)的激勵(lì)下實(shí)現(xiàn)電離形成等離子體。在輝光放電的等離子體中，電子經(jīng)外電場(chǎng)加速后，其動(dòng)能通?？蛇_(dá)10eV左右，化學(xué)氣相沉積設(shè)備公司，甚至更高，足以破壞反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵，因此，通過(guò)高能電子和反應(yīng)氣體分子的非彈性碰撞，就會(huì)使氣體分子電離（離化）或者使其分解，產(chǎn)生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場(chǎng)的加速與上電極碰撞，放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場(chǎng)，所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產(chǎn)生的中性物依擴(kuò)散到達(dá)管壁和襯底。這些粒子和基團(tuán)（這里把化學(xué)上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團(tuán)）在漂移和擴(kuò)散的過(guò)程中，由于平均自由程很短，所以都會(huì)發(fā)生離子-分子反應(yīng)和基團(tuán)-分子反應(yīng)等過(guò)程。到達(dá)襯底并被吸附的化學(xué)活性物（主要是基團(tuán)）的化學(xué)性質(zhì)都很活潑，由它們之間的相互反應(yīng)從而形成薄膜。

化學(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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鈀的化學(xué)氣相沉積Pd 及其合金對(duì)氫氣有著極強(qiáng)的吸附作用以及特別的選擇滲透性能，是一種存儲(chǔ)或者凈化氫氣的理想材料。對(duì)于Pd 的使用大多是將鈀合金或是鈀鍍層生產(chǎn)氫凈化設(shè)備 。也有些學(xué)者使用化學(xué)氣相沉積法將鈀制成薄膜或薄層。具體做法是使用分解溫度極低的金屬有機(jī)化合物當(dāng)做制備鈀的材料，具體包括：烯丙基Pd（η-C3H5） （η-C5H5）以及 Pd（η-C3H5）（CF3COCHCOCF3）之類的材料，使用這種方式能夠制取出純度很高的鈀薄膜。

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