化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)有哪些？

?  高溫石英管反應(yīng)器設(shè)計(jì)

?  溫度范圍：室溫到1100度

?  多路氣體準(zhǔn)確控制

?  標(biāo)準(zhǔn)氣壓計(jì)

?  易于操作

?  可配機(jī)械泵實(shí)現(xiàn)低壓TCVD

?  可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜

?  液體前驅(qū)體噴頭

沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年化學(xué)氣相沉積行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，化學(xué)氣相沉積設(shè)備哪家好，專注化學(xué)氣相沉積研發(fā)定制與生產(chǎn)，先進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù)，建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系，想要更多的了解，歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。?！

ICP刻蝕機(jī)檢測(cè)技術(shù)

高密度等離子體刻蝕是當(dāng)今超大規(guī)模集成電路制造過程中的關(guān)鍵步驟。已經(jīng)開發(fā)出許多終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)，終點(diǎn)檢測(cè)設(shè)備就是為實(shí)現(xiàn)刻蝕過程的實(shí)時(shí)監(jiān)控而設(shè)計(jì)的。

光學(xué)發(fā)射:

光學(xué)發(fā)射光譜法（OES）是使用較為廣泛的終點(diǎn)檢測(cè)手段。其原理是利用檢測(cè)等離子體中某種反應(yīng)性化學(xué)基團(tuán)或揮發(fā)性基團(tuán)所發(fā)射波長(zhǎng)的光強(qiáng)的變化來實(shí)現(xiàn)終點(diǎn)檢測(cè)。等離子體中的原子或分子被電子激發(fā)到激發(fā)態(tài)后，在返回到另一個(gè)能態(tài)時(shí)，伴隨著這一過程所發(fā)射出來的光線。

光線的強(qiáng)度變化可從反應(yīng)腔室側(cè)壁上的觀測(cè)孔進(jìn)行觀測(cè)。不同原子或分子所激發(fā)的光波波長(zhǎng)各不相同，光線強(qiáng)度的變化反應(yīng)出等離子體中原子或分子濃度的變化。被檢測(cè)的波長(zhǎng)可能會(huì)有兩種變化趨式：一種是在刻蝕終點(diǎn)時(shí)， 反應(yīng)物所發(fā)出的光線強(qiáng)度增加；另一種情形是光線強(qiáng)度減弱。

激光干涉：

激光干涉終點(diǎn)法（IEP）是用激光光源檢測(cè)透明薄膜厚度的變化，當(dāng)厚度變化停止時(shí)，化學(xué)氣相沉積設(shè)備報(bào)價(jià)，則意味著到達(dá)了刻蝕終點(diǎn)。其原理是當(dāng)激光垂直入射薄膜表面時(shí)，在透明薄膜前被反射的光線與穿透該薄膜后被下層材料反射的光線相互干涉。

如需了解更多ICP刻蝕機(jī)的相關(guān)信息，歡迎關(guān)注沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站或撥打圖片上的熱點(diǎn)電話，我司會(huì)為您提供周到的服務(wù)。

方箱PECVD簡(jiǎn)介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽(yáng)電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設(shè)備，化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設(shè)備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu)，手動(dòng)前開門；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達(dá)到

（采用分子泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)； 停泵關(guān)機(jī)12小時(shí)后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預(yù)留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào)；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，化學(xué)氣相沉積設(shè)備，全自動(dòng)匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計(jì)使用7個(gè)質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。

11. 系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

以上就是關(guān)于方箱PECVD鍍膜產(chǎn)品的相關(guān)內(nèi)容介紹，如有需求，歡迎撥打圖片上的熱線電話或關(guān)注沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司！

化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢-化學(xué)氣相沉積設(shè)備-沈陽(yáng)鵬程由沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司提供。化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢-化學(xué)氣相沉積設(shè)備-沈陽(yáng)鵬程是沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司今年新升級(jí)推出的，以上圖片僅供參考，請(qǐng)您撥打本頁(yè)面或圖片上的聯(lián)系電話，索取聯(lián)系人：董順。