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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用
化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜:
化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。在當(dāng)代,微型電子學(xué)元器件中越來越多的使用新型非晶態(tài)材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外,也有一些在未來有可能發(fā)展成開關(guān)以及存儲記憶材料,例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學(xué)氣相沉積法進行生產(chǎn)。
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等離子刻蝕機簡介
等離子刻蝕機,進口化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家,又叫等離子蝕刻機、等離子平面刻蝕機、等離子體刻蝕機、等離子表面處理儀、等離子清洗系統(tǒng)等。等離子刻蝕,是干法刻蝕中比較常見的一種形式,進口化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢,其原理是暴露在電子區(qū)域的氣體形成等離子體,由此產(chǎn)生的電離氣體和釋放高能電子組成的氣體,從而形成了等離子或離子,電離氣體原子通過電場加速時,會釋放足夠的力量與表面驅(qū)逐力緊緊粘合材料或蝕刻表面。某種程度來講,等離子清洗實質(zhì)上是等離子體刻蝕的一種較輕微的情況。進行干式蝕刻工藝的設(shè)備包括反應(yīng)室、電源、真空部分。工件送入被真空泵抽空的反應(yīng)室。氣體被導(dǎo)入并與等離子體進行交換。等離子體在工件表面發(fā)生反應(yīng),反應(yīng)的揮發(fā)性副產(chǎn)物被真空泵抽走。等離子體刻蝕工藝實際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。近期的發(fā)展是在反應(yīng)室的內(nèi)部安裝成擱架形式,這種設(shè)計的是富有彈性的,用戶可以移去架子來配置合適的等離子體的蝕刻方法:反應(yīng)性等離子體(RIE),順流等離子體(downstream),進口化學(xué)氣相沉積設(shè)備,直接等離子體(direction plasma)。
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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用
化學(xué)氣相沉積法生產(chǎn)晶體、晶體薄膜
化學(xué)氣相沉積法不但可以對晶體或者晶體薄膜性能的改善有所幫助,進口化學(xué)氣相沉積設(shè)備哪家好,而且也可以生產(chǎn)出很多別的手段無法制備出的一些晶體?;瘜W(xué)氣相沉積法常見的使用方式是在某個晶體襯底上生成新的外延單晶層,開始它是用于制備硅的,后來又制備出了外延化合物半導(dǎo)體層。它在金屬單晶薄膜的制備上也比較常見(比如制備 W、Mo、Pt、Ir 等)以及個別的化合物單晶薄膜(例如鐵酸鎳薄膜、釔鐵石榴石薄膜、鈷鐵氧體薄膜等)。
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