化學氣相沉積的特點

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特點

1）在中溫或高溫下，通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。

2）可以在常壓或者真空條件下(負壓“進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好）。

）采用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。

4）涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。

5）可以控制涂層的密度和涂層純度。

6）繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好，所以可涂覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。

7）沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行的氣相擾動，以改善其結構。

8）可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。

化學氣相沉積的過程介紹

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具體說來，基于輝光放電方法的PECVD技術，能夠使得反應氣體在外界電磁場的激勵下實現(xiàn)電離形成等離子體。在輝光放電的等離子體中，電子經(jīng)外電場加速后，其動能通常可達10eV左右，進口化學氣相沉積設備，甚至更高，足以破壞反應氣體分子的化學鍵，因此，通過高能電子和反應氣體分子的非彈性碰撞，就會使氣體分子電離（離化）或者使其分解，產(chǎn)生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場的加速與上電極碰撞，放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場，所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產(chǎn)生的中性物依擴散到達管壁和襯底。這些粒子和基團（這里把化學上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團）在漂移和擴散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會發(fā)生離子-分子反應和基團-分子反應等過程。到達襯底并被吸附的化學活性物（主要是基團）的化學性質都很活潑，由它們之間的相互反應從而形成薄膜。

方箱PECVD簡介

該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝研發(fā)設備，用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜，鍍膜樣品為156×156mm基片（并向下兼容）。

設備概述：

1.系統(tǒng)采用單室方箱式結構，手動前開門；

2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm；

3.極限真空度：≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后，采用分子泵抽氣)；

系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7Pa.l/S； 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa，35分鐘可達到

（采用分子泵抽氣，進口化學氣相沉積設備廠家，分子泵不配，預留分子泵接口)； 停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa（采用分子

泵抽氣，分子泵不配，預留分子泵接口)；

4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；

5.樣品加熱加熱溫度：300℃，溫控精度：±1°C，采用日本進口控溫表進行控溫；

6.噴淋頭尺寸：200×200mm，噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調；

7. 沉積工作真空：13-1300Pa；

8.氣路設有勻氣系統(tǒng)，真空室內設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；

9.射頻電源：頻率 13.56MHz，功率500W，進口化學氣相沉積設備報價，全自動匹配；

10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體，共計使用7個質量流量控制器控制進氣。

11. 系統(tǒng)設有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。

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