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化學(xué)氣相沉積的特點
以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供,進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備多少錢,希望對同行業(yè)的朋友有所幫助。
特點
1)在中溫或高溫下,通過氣態(tài)的初始化合物之間的氣相化學(xué)反應(yīng)而形成固體物質(zhì)沉積在基體上。
2)可以在常壓或者真空條件下(負(fù)壓“進(jìn)行沉積、通常真空沉積膜層質(zhì)量較好)。
)采用等離子和激光輔助技術(shù)可以顯著地促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),使沉積可在較低的溫度下進(jìn)行。
4)涂層的化學(xué)成分可以隨氣相組成的改變而變化,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5)可以控制涂層的密度和涂層純度。
6)繞鍍件好??稍趶?fù)雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合涂覆各種復(fù)雜形狀的工件。由于它的繞鍍性能好,所以可涂覆帶有槽、溝、孔,甚至是盲孔的工件。
7)沉積層通常具有柱狀晶體結(jié)構(gòu),不耐彎曲,但可通過各種技術(shù)對化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行的氣相擾動,以改善其結(jié)構(gòu)。
8)可以通過各種反應(yīng)形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物涂層。
化學(xué)氣相沉積的過程介紹
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具體說來,基于輝光放電方法的PECVD技術(shù),能夠使得反應(yīng)氣體在外界電磁場的激勵下實現(xiàn)電離形成等離子體。在輝光放電的等離子體中,電子經(jīng)外電場加速后,其動能通??蛇_(dá)10eV左右,進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備,甚至更高,足以破壞反應(yīng)氣體分子的化學(xué)鍵,因此,通過高能電子和反應(yīng)氣體分子的非彈性碰撞,就會使氣體分子電離(離化)或者使其分解,產(chǎn)生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場的加速與上電極碰撞,放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場,所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產(chǎn)生的中性物依擴(kuò)散到達(dá)管壁和襯底。這些粒子和基團(tuán)(這里把化學(xué)上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團(tuán))在漂移和擴(kuò)散的過程中,由于平均自由程很短,所以都會發(fā)生離子-分子反應(yīng)和基團(tuán)-分子反應(yīng)等過程。到達(dá)襯底并被吸附的化學(xué)活性物(主要是基團(tuán))的化學(xué)性質(zhì)都很活潑,由它們之間的相互反應(yīng)從而形成薄膜。
方箱PECVD簡介
該系統(tǒng)為單室薄膜太陽電池等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)工藝研發(fā)設(shè)備,用來在硅片上沉積SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,鍍膜樣品為156×156mm基片(并向下兼容)。
設(shè)備概述:
1.系統(tǒng)采用單室方箱式結(jié)構(gòu),手動前開門;
2.真空室:尺寸為350mm×350×280mm;
3.極限真空度:≤6.67x10-4 Pa (經(jīng)烘烤除氣后,采用分子泵抽氣);
系統(tǒng)真空檢漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 Pa,35分鐘可達(dá)到
(采用分子泵抽氣,進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備廠家,分子泵不配,預(yù)留分子泵接口); 停泵關(guān)機(jī)12小時后真空度:≤5 Pa(采用分子
泵抽氣,分子泵不配,預(yù)留分子泵接口);
4.采用樣品在下,噴淋頭在上噴淋式進(jìn)氣方式;
5.樣品加熱加熱溫度:300℃,溫控精度:±1°C,采用日本進(jìn)口控溫表進(jìn)行控溫;
6.噴淋頭尺寸:200×200mm,噴淋頭與樣品之間電極間距20-80mm連續(xù)可調(diào);
7. 沉積工作真空:13-1300Pa;
8.氣路設(shè)有勻氣系統(tǒng),真空室內(nèi)設(shè)有保證抽氣均勻性抽氣裝置;
9.射頻電源:頻率 13.56MHz,功率500W,進(jìn)口化學(xué)氣相沉積設(shè)備報價,全自動匹配;
10.SiH4、NH3、CO2、N2、H2、PH3、B2H6、七路氣體,共計使用7個質(zhì)量流量控制器控制進(jìn)氣。
11. 系統(tǒng)設(shè)有尾氣處理系統(tǒng)(高溫裂解方式)。
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