脈沖激光沉積選件介紹

激光分子束外延(Laser MBE )

激光MBE 是普遍采用的術(shù)語，該法是一種納米尺度薄膜合成的理想方法，高真空下的PLD 與在線工藝監(jiān)測(cè)的反射高能電子衍射（RHEED）的聯(lián)合應(yīng)用，用戶提供了類似于MBE 的薄膜生長的單分子水平控制。

正確的設(shè)計(jì)是成功使用RHEED 和PLD 的重要因數(shù)

RHEED 通常在高真空（<10-6 torr）環(huán)境下使用。然而，因?yàn)樵谀承┨厥馇闆r下，PLD 采用較高的壓力，差動(dòng)抽氣是必要的，

維持RHEED 的工作壓力，同時(shí)保持500 mTorr 的PLD 工藝壓力。同時(shí)，設(shè)計(jì)完整的系統(tǒng)消除磁場(chǎng)對(duì)電子束的影響是至關(guān)重要的。Neocera 的激光MBE 系統(tǒng)可以為用戶提供在壓力達(dá)到500 mTorr 時(shí)所需的單分子層控制。

以上內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您提供，希望對(duì)同行業(yè)的朋友有所幫助！

PLD450型脈沖激光鍍膜介紹

以下是沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司為您一起分享的內(nèi)容，沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司生產(chǎn)脈沖激光沉積，歡迎新老客戶蒞臨。

技術(shù)指標(biāo)：

極限真空度：≤6.7×10 Pa　　

恢復(fù)真空時(shí)間：從1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min　　

系統(tǒng)漏率：6. 7×10-7Pa.L/S；　　

真空室：Ф450球型真空室 ，　　

基片尺寸：可放置4″可實(shí)現(xiàn)公轉(zhuǎn)換靶位描等基片加熱可連續(xù)回轉(zhuǎn)，脈沖激光沉積裝置報(bào)價(jià)，轉(zhuǎn)速5-60轉(zhuǎn)/分基片與蒸發(fā)源之間距離300-350mm可調(diào)。　　

二維掃描機(jī)械平臺(tái)，執(zhí)行兩自由度掃描，控制的內(nèi)容主要有公轉(zhuǎn)換靶、靶自轉(zhuǎn)、樣品自轉(zhuǎn)、樣品控溫、激光束掃，

質(zhì)量流量控制器1路　　

烘烤溫度：150℃數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫（高溫爐盤，數(shù)顯自動(dòng)熱偶控溫可加熱到800℃）

脈沖激光沉積簡介

沈陽鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——脈沖激光沉積供應(yīng)商，脈沖激光沉積裝置，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?/p>

【設(shè)備主要用途】

PLD450A型脈沖激光沉積設(shè)備采用PLD脈沖激光沉積技術(shù)，用于制備高溫超導(dǎo)薄膜、半導(dǎo)體膜、鐵電薄膜、硬質(zhì)薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質(zhì)結(jié)，也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機(jī)—無機(jī)復(fù)合材料薄膜及金剛石薄膜等。

【設(shè)備優(yōu)點(diǎn)】

設(shè)備全程采用一鍵式操作抽氣，關(guān)機(jī)，程序自動(dòng)化定時(shí)操作。避免了繁瑣的角閥，插板閥人工開啟。

【設(shè)備主要組成】

設(shè)備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉(zhuǎn)臺(tái)、激光入射轉(zhuǎn)靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制轉(zhuǎn)靶的旋轉(zhuǎn)、脈沖準(zhǔn)分子激光器等組成

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