真空鍍膜設(shè)備鍍膜過(guò)程的均勻性到底多重要？厚度均勻性主要取決于：1、基片材料與靶材的晶格匹配程度；2、基片表面溫度；3、蒸發(fā)功率，速率；4、真空度；5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。組分均勻性：蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對(duì)于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。晶向均勻性：1、晶格匹配度;2、基片溫度;3、蒸發(fā)速率.對(duì)于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的，鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問(wèn)題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

嚴(yán)格控制發(fā)Al膜的厚度是十分重要的，因?yàn)锳l膜的厚度將直接影響Al膜的其它性能，從而影響半導(dǎo)體器件的可靠性。對(duì)于高反壓功率管來(lái)說(shuō)，它的工作電壓高，電流大，沒(méi)有一定厚度的金屬膜會(huì)造成成單位面積Al膜上電流密度過(guò)高，易燒毀。對(duì)于一般的半導(dǎo)體器件，Al層偏薄，則膜的連續(xù)性較差，呈島狀或網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，引起壓焊引線困難，造成不易壓焊或壓焊不牢，從而影響成品率;Al層過(guò)厚，引起光刻時(shí)圖形看不清，造成腐蝕困難而且易產(chǎn)生邊緣腐蝕和“連條”現(xiàn)象。采用真空鍍膜機(jī)電子束蒸發(fā)，行星機(jī)構(gòu)在沉積薄膜時(shí)均勻轉(zhuǎn)動(dòng)，各個(gè)基片在沉積Al膜時(shí)的幾率均等;行星機(jī)構(gòu)的聚焦點(diǎn)在坩堝蒸發(fā)源處，各個(gè)基片在一定真空度下沉積速率幾乎相等。采用真空鍍膜機(jī)磁控濺射鍍膜方法，由于沉積電流和靶電壓可以控制，也即是濺射功率可以調(diào)節(jié)并控制，因此膜厚的可控性和重復(fù)性較好，并且可在較大表面上獲得厚度均勻的膜層。

真空磁控濺射鍍膜機(jī)如何保養(yǎng),及后期發(fā)展前景

首先，真空鍍膜設(shè)備使用一段時(shí)間后，必須要對(duì)設(shè)備進(jìn)行清潔維護(hù)；規(guī)范操作人員及操作要求，包括穿戴的服裝、手套、腳套等；嚴(yán)格處理襯底材料，做到清潔干凈，合乎工藝要求；源材料符合必

要的純度要求；保證設(shè)施設(shè)備及操作環(huán)境清潔。如材料、樣品放置地環(huán)境要求，環(huán)境溫度濕度要求等；降低真空鍍膜設(shè)備室內(nèi)空氣流動(dòng)性低、盡量減小室外灰塵侵入。

真空鍍膜技術(shù)在電子方面開(kāi)始是用來(lái)制造電阻和電容元件，之后隨著半導(dǎo)體技術(shù)在電機(jī)學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用，又使這一技術(shù)成為晶體管制造和集成電路生產(chǎn)的必要工藝手段。近年來(lái)，隨著集成電路向大規(guī)模和超大規(guī)模集成方向發(fā)展，從而又對(duì)真空鍍膜技術(shù)提出了新的要求。因而在電機(jī)學(xué)領(lǐng)域中又產(chǎn)生了一個(gè)新的分支—薄膜微電子學(xué)。