防爆簡介

1965年，負電子親和勢（Negative Eeleetron Affinity，NEA）反射式光電陰極理論的發(fā)展和工藝的實現(xiàn)，在微光夜視領(lǐng)域引發(fā)了一場革命。這類Ⅲ～V族半導體光電陰極的顯著特點是靈敏度高，向紅外波段延伸的潛力大。將透射式GaAs光電陰極和帶  離子壁壘膜的MCP引人近貼微光管中就構(gòu)成了第三代微光的兩大特色。與第二代微光相比，第三代微光的靈敏度增加了4~8倍，壽命延長了3倍，對夜天光光譜利用率顯著提高，在漆黑（  lx）夜晚的目標視距延伸了50%~。20世紀80年代以來，美歐國家陸續(xù)大量裝備了第三代微光。在1983年英阿馬島、1991年海灣中使用后，取得了優(yōu)于前幾代微光產(chǎn)品的滿意結(jié)果，反過來又促進了第三代微光的進一步擴大再生產(chǎn)和裝備。第三代微光的工藝基礎(chǔ)是超高真空、NEA表面、雙近貼、雙銦封、表面物理、表面化學和長壽命、高增益MCP技術(shù)等，又為發(fā)展新一代微光管和長波紅外光電陰極像增強器等高技術(shù)產(chǎn)品創(chuàng)造了良好的條件。

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