島津石墨錐的特殊性質(zhì)

1、耐高溫型：石墨的熔點(diǎn)為 3850± 50℃，沸點(diǎn)為 4250℃， 即使經(jīng)超高溫電弧灼燒，重量的損失很小，熱膨脹系數(shù)也很小。石墨強(qiáng)度隨溫度提高而加強(qiáng)，在2000℃時(shí)，石墨強(qiáng)度提高一倍。

2、導(dǎo)電、導(dǎo)熱性：石墨的導(dǎo)電性比一般非金屬礦高一百倍。導(dǎo)熱性超過(guò)鋼、鐵、鉛等金屬材料。導(dǎo)熱系數(shù)隨溫度 升高而降低，甚至在極高的溫度下，石墨成絕熱體。石墨能 夠?qū)щ娛且驗(yàn)槭忻總€(gè)碳原子與其他碳原子只形成3個(gè)共 價(jià)鍵 ，島津石墨錐廠家， 每個(gè)碳原子仍然保留1個(gè)自由電子來(lái)傳輸電荷。

3、潤(rùn)滑性：石墨的潤(rùn)滑性能取決于石墨鱗片的大小，鱗片越大，摩擦系數(shù)越小，潤(rùn)滑性能越好。

4、化學(xué)穩(wěn)定性：石墨在常溫下有良好的化學(xué)穩(wěn)定性，能耐酸、耐堿的腐蝕。

5、可塑性：石墨的韌性好，可碾成很薄的薄片。

6、抗熱震性：石墨在常溫下使用時(shí)能經(jīng)受住溫度的劇烈變化而不致破壞，溫度突變時(shí)，石墨的體積變化不大，不會(huì)產(chǎn)生裂紋

島津石墨錐的同性石墨

雖然國(guó)際上對(duì)各向同性石墨的定義有待于進(jìn)一步明確，一般是測(cè)量產(chǎn)品直徑方向和長(zhǎng)度方向的某些物理性能指標(biāo)并計(jì)算其比值，有的用熱膨脹系數(shù)的比值表示，較簡(jiǎn)單的是以電阻率的比值表示，島津石墨錐報(bào)價(jià)，其異向比在1.0~1.1范圍內(nèi)稱為各向同性產(chǎn)品，超過(guò)1.1稱為各向異性產(chǎn)品。日本等工業(yè)技術(shù)先進(jìn)國(guó)家用等靜壓成型方法生產(chǎn)的大型各向同性石墨直徑達(dá)1.5m，長(zhǎng)度達(dá)3%，體積密度達(dá)到1.95-2.0g/cm3，各向異性比縮小到1.05。制造各向同性石墨除使用一般石油焦外，島津石墨錐，還使用改性瀝青焦、天然瀝青焦、氧化石油焦、不經(jīng)煅燒的生石油焦、天然石墨等。

島津石墨錐的材料

高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石墨，在組織結(jié)構(gòu)上可分為粗顆粒結(jié)構(gòu)、細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)和超細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)三類，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎(chǔ)材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長(zhǎng)工藝主要采用直拉(CZ)法，其他方法還有磁場(chǎng)直拉法(MCZ)、區(qū)域(FZ)法以及雙坩堝拉晶法，電子工業(yè)用直拉單晶硅約占單晶硅總用量的80%，直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統(tǒng)。2005年中國(guó)需要直拉硅單晶爐用石墨約800t。

高純石墨另一重要用途是加工成各類?ài)釄?，用于生產(chǎn)、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳素以外的所有元素的光譜化學(xué)分析，光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質(zhì)元素含量應(yīng)不大于6*10-5在光譜分析中制備標(biāo)準(zhǔn)樣品和用化學(xué)方法捕集雜質(zhì)時(shí)需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對(duì)雜質(zhì)含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量達(dá)到99.9995%，總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。

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