氧化鋅的能帶隙和激子束縛能較大，透明度高，有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能，在半導(dǎo)體領(lǐng)域的液晶顯示器、薄膜晶體管、發(fā)光二極管等產(chǎn)品中均有應(yīng)用。ZnO是一種典型的寬帶隙半導(dǎo)體材料，高質(zhì)量ZnO晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，ZnO晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。氧化鋅也被用于混凝土生產(chǎn)，因?yàn)樗鼛椭岣呋炷聊退院透纳菩枰募庸r(shí)間。這種無機(jī)化合物另外一個(gè)重要用途是作為煙過濾劑。

氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，氧化鋅晶體單晶襯底基片，也是移動(dòng)通訊基片材料和閃爍材料。ZnO是一種典型的寬帶隙半導(dǎo)體材料，高質(zhì)量ZnO晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，ZnO晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。改變正交表中的四個(gè)因素（煅燒時(shí)間、分散介質(zhì)、鋅銨比和煅燒溫度），氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。

通過特殊條件下不同方法制備氧化鋅晶體的生長機(jī)理及其添加劑的作用機(jī)理研究，實(shí)現(xiàn)了氧化鋅晶體的大小、形貌在一定范圍內(nèi)的可控制備。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發(fā)熔劑，使熔體過飽和而結(jié)晶的方法。氧化鋅晶體可控生長的關(guān)鍵是控制成核和生長過程，而試驗(yàn)中各工藝參數(shù)決定著成核和生長過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。

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