助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發(fā)熔劑，使熔體過飽和而結(jié)晶的方法。氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。 氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：透過范圍：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底。

氧化鋅（ZnO）晶體有三種結(jié)構(gòu)∶六邊纖鋅礦結(jié)構(gòu)、立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)，以及比較罕見的氯化鈉式八面體結(jié)構(gòu)。氧化鋅其他一些值得注意的作用還包括生產(chǎn)油漆，防腐蝕涂料，潤滑劑，粘合劑，電池，阻燃劑，密封劑，塑料，陶瓷，水泥和玻璃制造等。氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：透過范圍：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底。

氧化鋅的能帶隙和激子束縛能較大，氧化鋅晶體廠，透明度高，有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能，在半導(dǎo)體領(lǐng)域的液晶顯示器、薄膜晶體管、發(fā)光二極管等產(chǎn)品中均有應(yīng)用。改變正交表中的四個因素（煅燒時間、分散介質(zhì)、鋅銨比和煅燒溫度），氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。ZnO半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37eV，且束縛激子能高達(dá)60MeV，使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方面具有很大潛在應(yīng)用價值。

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