在各種具有四面體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料中，氧化鋅有著高的壓電張量。該特性使得氧化鋅成為機(jī)械電耦合重要的材料之一。改變正交表中的四個(gè)因素（煅燒時(shí)間、分散介質(zhì)、鋅銨比和煅燒溫度），氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，氧化鋅晶體生產(chǎn)商，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發(fā)熔劑，使熔體過飽和而結(jié)晶的方法。

通過大尺寸氧化鋅晶體的照片研究表明，晶體像一根長針，說明晶體沿一個(gè)方向生長，從XRD看出，(000ι)為主要生長方向，這與通常報(bào)道的氧化鋅具有沿 c軸取向生長的機(jī)理相同。氧化鋅晶體可控生長的關(guān)鍵是控制成核和生長過程，而試驗(yàn)中各工藝參數(shù)決定著成核和生長過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。氧化鋅（ZnO）單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，其可直接躍遷，禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。

采用升華法生長氧化鋅晶體裝置，加熱速度快，生長室容易達(dá)到高真空，可通過改變工藝條件實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鋅晶體尺寸，生長速度的控制，可獲得高質(zhì)量大尺寸氧化鋅晶體。通過特殊條件下不同方法制備氧化鋅晶體的生長機(jī)理及其添加劑的作用機(jī)理研究，實(shí)現(xiàn)了氧化鋅晶體的大小、形貌在一定范圍內(nèi)的可控制備。氧化鋅（ZnO）晶體主要性能參數(shù)：透過范圍：0.4-0.6 um > 50% at 2mm；晶向：<0001>、<11-20>、<10-10>±0.5o 尺寸（mm） 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底。

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