晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過(guò)大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，小公差晶體諧振器品牌，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN 晶體諧振器電容匹配知識(shí)

KOAN 晶振的電路匹配電容時(shí)，不要忽略電路雜散電容，諧振器兩個(gè)引腳的外圍電容愈接近晶體負(fù)載電容（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)。

措施 A：調(diào)整外部負(fù)載電容增加外部負(fù)載電容以減小實(shí)際的振蕩頻率，小公差晶體諧振器型號(hào)，反之增加。如果增加外部負(fù)載電容，振蕩裕量和振蕩幅度會(huì)減小。

措施 B：更換合適的負(fù)載容量晶體?？傊惹蠓€(wěn)定，再選擇適中的負(fù)載電容值；要考慮頻率變化需求量，小公差晶體諧振器品牌哪家好，再定中心負(fù)載電容值。

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KOAN 晶振之 BT 切溫度特性優(yōu)點(diǎn)

優(yōu)點(diǎn)：BT 切晶體 Q 值比較高，其頻率常數(shù)比 AT 切大 50%，小公差晶體諧振器，因此當(dāng)頻率一定時(shí)，晶振片的厚度也增大了 50%，對(duì)于厚度切變振動(dòng)的石英諧振器，其 Q 值與晶片的厚度成正比；同時(shí)，溫度曲線的形狀對(duì)切角不很敏感，因此易控制零溫度系數(shù)點(diǎn)，即它對(duì)切角公差的要求比較輕松；還有可做高基頻晶體。

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