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LED芯片大小根據(jù)功率可分為小功率芯片、中功率芯片和大功率芯片。根據(jù)客戶要求可分為單管級、數(shù)碼級、點陣級以及裝飾照明等類別。
至于芯片的具體尺寸大小是根據(jù)不同芯片生產(chǎn)廠家的實際生產(chǎn)水平而定,沒有具體的要求。
只要工藝過關,芯片小可提高單位產(chǎn)出并降低成本,光電性能并不會發(fā)生根本變化。
芯片的使用電流實際上與流過芯片的電流密度有關,芯片小使用電流小,芯片大使用電流大,它們的單位電流密度基本差不多。
考慮到散熱是大電流下的主要問題,所以它的發(fā)光效率比小電流低。另一方面,由于面積增大,芯片的體電阻會降低,所以正向?qū)妷簳兴陆怠?br />
LED芯片結(jié)構(gòu)設計主要是考慮如何提高外量i子效率,即芯片的光萃取效率,提高芯片散熱性能以及在降低成本上進行采用新結(jié)構(gòu)新工藝。芯片有很多種新結(jié)構(gòu),例如六面體發(fā)光芯片、DA芯片結(jié)構(gòu)等。
據(jù)機構(gòu)測算,中山led芯片,到2017年年底,led芯片廠家,LED芯片有效產(chǎn)能約8328萬片,led芯片價格,需求約9235萬片。業(yè)內(nèi)人士認為,LED芯片產(chǎn)能仍低于需求。考慮到2017年需求穩(wěn)定增長,LED芯片將處于供不應求的狀態(tài)。而隨著LED芯片供不應求,相應地LED外延片也將“水漲船高”。
由于經(jīng)濟的全球化,LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也在逐步形成國際分工,國際LED產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)數(shù)量分布梯度明顯,產(chǎn)業(yè)鏈上游的外延生長技術是半導體照明產(chǎn)業(yè)技術含量蕞高、對蕞終產(chǎn)品品質(zhì)、成本控制影響蕞大的環(huán)節(jié)。
LED產(chǎn)業(yè)的核心技術之一是外延生長技術,其核心是在MOCVD設備(俗稱外延爐)中生長出一層厚度僅有幾微米的化合物半導體外延層。MOCVD設備是LED產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)過程中蕞重要的設備,其價值占整個產(chǎn)業(yè)鏈(外延片—芯片—封裝和應用)的70%。
一般來說,LED外延生產(chǎn)完成之后她的主要電性能已定型,LED芯片制造不對其產(chǎn)甞核本性改變,但在鍍膜、合金化過程中不恰當?shù)臈l件會造成一些電參數(shù)的不良。
比如說合金化溫度偏低或偏高都會造成歐姆接觸不良,歐姆接觸不良是芯片制造中造成正向壓降VF偏高的主要原因。
在切割后,如果對芯片邊緣進行一些腐蝕工藝,對改善芯片的反向漏電會有較好的幫助。
這是因為用金剛石砂輪刀片切割后,芯片邊緣會殘留較多的碎屑粉末,這些如果粘在LED芯片的PN結(jié)處就會造成漏電,甚至會有擊穿現(xiàn)象。
另外,如果芯片表面光刻膠剝離不干凈,將會造成正面焊線難與虛焊等情況。
如果是背面也會造成壓降偏高。在芯片生產(chǎn)過程中通過表面粗化、劃成倒梯形結(jié)構(gòu)等辦法可以提高光強。
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