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光電探測(cè)器的概述
光電探測(cè)器,四光束光電探測(cè)器多少錢,從其字面意思,相信大家都能猜到,這種探測(cè)器能夠?qū)⒐庑盘?hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào)。光電探測(cè)器的分類有好多種,根據(jù)器件的不者根據(jù)器件對(duì)輻射響應(yīng)方式的不同,四光束光電探測(cè)器,光電探測(cè)器一般分為兩大類,一種是熱探測(cè)器,還有一種是光子探測(cè)器。
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光電探測(cè)器工作原理
光電探測(cè)器的基本工作機(jī)理包括三個(gè)過(guò)程:(1)光生載流子在光照下產(chǎn)生;(2)載流子擴(kuò)散或漂移形成電流;(3)光電流在放大電路中放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)。當(dāng)探測(cè)器表面有光照射時(shí),如果材料禁帶寬度小于入射光光子的能量即Eg<hv,則價(jià)帶電子可以躍遷到導(dǎo)帶形成光電流。
當(dāng)光在半導(dǎo)體中傳輸時(shí),四光束光電探測(cè)器哪家好,光波的能量隨著傳播會(huì)逐漸衰減,其原因是光子在半導(dǎo)體中產(chǎn)生了吸收。半導(dǎo)體對(duì)光子的吸收的吸收為本征吸收,本征吸收分為直接躍遷和間接躍遷。通過(guò)測(cè)試半導(dǎo)體的本征吸收光譜除了可以得到半導(dǎo)體的禁帶寬度等信息外,還可以用來(lái)分辨直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。本征吸收導(dǎo)致材料的吸收系數(shù)通常比較高,由于半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)所以半導(dǎo)體具有連續(xù)的吸收譜。從吸收譜可以看出,當(dāng)本征吸收開(kāi)始時(shí),半導(dǎo)體的吸收譜有一明顯的吸收邊。但是對(duì)于硅材料,由于其是間接帶隙材料,與三五族材料相比躍遷幾率較低,因而只有非常小的吸收系數(shù),同時(shí)導(dǎo)致在相同能量的光子照射下在硅材料中的光的吸收深度更大。直接帶隙材料的吸收邊比間接帶隙材料陡峭很多,如圖 畫(huà)出了幾種常用半導(dǎo)體材料(如 GaAs、InP、InAs、Si、Ge、GaP 等材料)的入射光波長(zhǎng)和光吸收系數(shù)、滲透深度的關(guān)系。
光電探測(cè)器的原理
是由輻射引起被照射材料電導(dǎo)率發(fā)生改變。光電探測(cè)器在軍事和國(guó)民經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域有廣泛用途。在可見(jiàn)光或近紅外波段主要用于射線測(cè)量和探測(cè)、工業(yè)自動(dòng)控制、光度計(jì)量等;在紅外波段主要用于制導(dǎo)、紅外熱成像、紅外遙感等方面。光電導(dǎo)體的另一應(yīng)用是用它做攝像管靶面。為了避免光生載流子擴(kuò)散引起圖像模糊,四光束光電探測(cè)器價(jià)格,連續(xù)薄膜靶面都用高阻多晶材料,如PbS-PbO、Sb2S3等。其他材料可采取鑲嵌靶面的方法,整個(gè)靶面由約10萬(wàn)個(gè)單獨(dú)探測(cè)器組成。
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