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電容器的投切方式二
精度能達(dá)到0.5級(jí),局放<5pC@14.4kV,介質(zhì)損耗<0.1%,雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs,正負(fù)極性各 15 次
電子式無(wú)觸點(diǎn)可控硅投切電容器裝置(TSC)可控硅投切電容器,是利用了電子開(kāi)關(guān)反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。采用過(guò)零觸發(fā)電路,互感器電容器,檢測(cè)當(dāng)施加到可控硅兩端電壓為零時(shí),發(fā)出觸發(fā)信號(hào),可控硅導(dǎo)通。此時(shí)電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會(huì)產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問(wèn)題。但是,可控硅在導(dǎo)通運(yùn)行時(shí),可控硅結(jié)間會(huì)產(chǎn)生一伏左右的壓降,通常15KVAR三角形接法的電容器,額定電流22A,則一個(gè)可控硅消耗功率約為22W。如以一個(gè)150KVAR電容柜來(lái)算,運(yùn)行時(shí)可控硅投切裝置消耗的功率可達(dá)600W,而且都變成熱量,使機(jī)柜溫度升高。同時(shí)可控硅有漏電流存在,當(dāng)未接電容時(shí),即使可控硅未導(dǎo)通,其輸出端也是高電壓。優(yōu)點(diǎn):無(wú)涌流,無(wú)觸點(diǎn),使用壽命長(zhǎng)、維修少,互感器電容器公司,投切速度快(5ms內(nèi));缺點(diǎn):價(jià)格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右
使用薄膜電容需要注意什么
精度能達(dá)到0.5級(jí),局放<5pC@14.4kV,介質(zhì)損耗<0.1%,雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs,正負(fù)極性各 15 次。
答應(yīng)電流
由于薄膜電容器內(nèi)部阻抗較低、故會(huì)有較大的充電電流,特別是在電源ON-OFF時(shí),會(huì)有較高的脈沖電流,此外電
容器用于反演電路和開(kāi)關(guān)電路等高頻電路時(shí),會(huì)有較大的有效值電流。當(dāng)電流超越答應(yīng)值規(guī)模時(shí),會(huì)導(dǎo)致容量下降和開(kāi)
路,或有效值電流引起電容發(fā)熱,使介質(zhì)耐壓功能劣化而導(dǎo)致電容器擊穿,乃至冒煙、起火。
答應(yīng)電流根據(jù)擊穿模式分紅脈沖電流(峰值電流)和接連電流(有效值電流)來(lái)考慮,當(dāng)運(yùn)用時(shí)需承認(rèn)這兩個(gè)電流
都在答應(yīng)規(guī)模內(nèi)。
1.1各種波形的有效值換算聯(lián)系,不同的波形有效值按下面的公式計(jì)算
1.2答應(yīng)電流與運(yùn)用頻率
由于不同類(lèi)型的薄膜電容器所運(yùn)用的介質(zhì)種類(lèi)不同,其損耗頻率特性也不同,因而不同類(lèi)型的薄膜電容器在相同作業(yè)
頻率之下答應(yīng)有效值電流也不相同。特別在用于高頻時(shí)損耗加大,如超出答應(yīng)電流值運(yùn)用,會(huì)導(dǎo)致?lián)舸盁?、起火?/p>
安裝電容器需要注意的事宜
精度能達(dá)到0.5級(jí),局放<5pC@14.4kV,介質(zhì)損耗<0.1%,雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs,正負(fù)極性各 15 次。
1 電容器經(jīng)星形銜接后,用于高一級(jí)額外電壓,互感器電容器價(jià)格,且系中性點(diǎn)不接地時(shí),電容器的外殼應(yīng)對(duì)地絕緣。
2 電容器設(shè)備之前,互感器電容器生產(chǎn)廠家,要分配一次電容量,使其相間平衡,偏差不超越總?cè)萘康?%。當(dāng)裝有繼電保護(hù)設(shè)備時(shí)還應(yīng)滿意運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)平衡電流差錯(cuò)不超越繼電保護(hù)動(dòng)作電流的要求。
3 對(duì)單個(gè)補(bǔ)償電容器的接線應(yīng)做到:對(duì)直接發(fā)動(dòng)或經(jīng)變阻器發(fā)動(dòng)的感應(yīng)電動(dòng)機(jī),其進(jìn)步功率因數(shù)的電容能夠直接與電動(dòng)機(jī)的出線端子相銜接,兩者之間不要裝設(shè)開(kāi)關(guān)設(shè)備或熔斷器。
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