參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號

開通延遲時間td(on)關(guān)斷延遲時間td(off)

上升時間tr下降時間tf

開通時間ton關(guān)斷時間toff

開通損耗Eon關(guān)斷損耗Eoff

柵極電荷Qg

短路電流ISC//

可測量的FRD動態(tài)參數(shù)

參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號

反向恢復(fù)電流IRM反向恢復(fù)電荷Qrr

反向恢復(fù)時間trr反向恢復(fù)損耗Erec

什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？

凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，貴州大功率IGBT測試儀，均可屬于大功率的范圍。主要參數(shù)測試范圍精度要求測試條件Vce集射極電壓150～3300V150～500V±3%±1V。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。

大功率IGBT測試儀加工-華科智源-貴州大功率IGBT測試儀由深圳市華科智源科技有限公司提供。9A±3%±50mA10A～50A±3%±1A3、EA：10mJ～20J10mJ～1000mJ±3%±1mJ1J～20J±3%±10mJ4、脈沖寬度：40—1000uS可設(shè)定5、測試頻率：單次2。深圳市華科智源科技有限公司是廣東 深圳 ,電子測量儀器的企業(yè)，多年來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠實守信的方針，滿足客戶需求。在華科智源領(lǐng)導(dǎo)攜全體員工熱情歡迎各界人士垂詢洽談，共創(chuàng)華科智源更加美好的未來。