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磁珠專門用于抑制信號線和電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾,還具有吸收靜電脈沖的能力。如下圖所示,不同磁珠的阻抗特性不同。例如,在50兆赫,右邊的磁珠顯然更合適。因此,應根據(jù)頻率選擇合適的磁珠。磁珠通常被應用到苔蘚管的三個位置以抑制電磁干擾,但是當放置在三個不同的位置時,效果是不同的。參考圖2,在g端放置磁珠的情況相對較小,因為驅動器和mos管的引線相對較長,并且外部回路相對較大,所以引線的電感相對較大。Zui通常放置在D終端,這有助于抑制輻射。然而,由于電流相對較大,醉將很快進入飽和狀態(tài)。理論上講,放置在S端的電流與放置在D端的電流相同,穿線磁珠,但實際效果在S端比在D端好得多。磁珠是電感性的,穿線磁珠報價,會產(chǎn)生反向電壓來抵消D端的部分驅動電壓,這將降低驅動速度,并更好地抑制輻射。
磁珠主要用于抑制電磁干擾差模噪聲。它們的DC阻抗不大,但在高頻時阻抗很高。一般來說,600R是指在100兆赫茲測試頻率下的阻抗值。
磁珠的選擇應遵循兩個方面:一是集成運算放大器中的噪聲干擾;第二個是要通過的電流量。
為了大致了解噪聲的頻率和強度,不同磁珠的頻率阻抗曲線是不同的,應選擇在噪聲中心頻率處磁珠阻抗較高的類型。噪聲干擾大的應該有較高的阻抗,但不是阻抗越高越好。阻抗越高,DCR越大,有效信號損失越大。然而,通常沒有一個完善的計算和選擇基準。關鍵在于具體應用的有效性。120R-600R系列非常實用。
稍后,應考慮通過電流。如果用于電力線部分,應選擇額定電壓較高的規(guī)格。如果用于信號線部分,額定電壓要求通常不高。其他磁珠通常具有較高的阻抗和較低的額定電壓。磁珠的選擇應根據(jù)實際情況進行。例如,對于3.3V和300毫安的電源,規(guī)定3.3V不能低于3.0V。那么磁珠的DC電阻DCR應該低于1R。在這種情況下,通常選擇0.5R來避免3位數(shù)漂移。
磁珠是由信號線、高頻噪聲和峰值干擾特別制成,并具有吸收靜電脈沖的能力。
磁珠用于接收超高頻信號,如一些射頻電路、鎖相環(huán)、振蕩電路和含有超高頻存儲器的電路(DDR SDRAM、RAMBUS等)。),這需要添加到電源輸入部分。電感是一種儲能元件,用于液晶振蕩電路、中低頻濾波電路等。其應用頻率范圍很少超過50兆赫。
磁珠的作用主要是消除傳輸線結構(電路)中存在的射頻噪聲。射頻能量是疊加在DC傳輸電平上的交流正弦波分量,DC分量是需要的有用信號,而射頻能量是沿線無用的電磁傳輸和輻射。為了消除這些不必要的信號能量,芯片磁珠被用作高頻電阻(衰減器),穿線磁珠廠家,允許DC信號通過并過濾掉交流信號。一般來說,高頻信號高于30MHz,穿線磁珠批發(fā),然而,低頻信號也受到芯片磁珠的影響。
片狀磁珠由軟磁鐵氧體材料制成,構成具有高體積電阻率的單片結構。渦流損耗與鐵氧體材料的電阻率成反比。渦流損耗與信號頻率的平方成正比。使用芯片磁珠的優(yōu)勢:小型化和輕量化,在射頻噪聲的頻率范圍內具有高阻抗,消除傳輸線中的電磁干擾。閉合磁路結構,更好地消除信號交叉繞組。出色的磁*結構。降低DC電阻以避免有用信號的過度衰減。顯著的高頻特性和阻抗特性(更好地消除射頻能量)。消除高頻放大電路中的寄生振蕩。它可以在幾兆赫到幾百兆赫的頻率范圍內有效地工作。
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