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摘要 : 利用二極管工廠原理測(cè)試二極管的好壞 測(cè)試前先把萬(wàn)用表的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)撥到歐姆檔的RX1K檔位(注意不要使用RX1檔,以免電流過(guò)大燒壞二極管),再將紅、黑兩根表筆短路,MUR2080CT功放對(duì)管,進(jìn)行歐姆調(diào)零。
利用二極管工廠原理測(cè)試二極管的好壞
測(cè)試前先把萬(wàn)用表的轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)撥到歐姆檔的RX1K檔位(注意不要使用RX1檔,以免電流過(guò)大燒壞二極管),再將紅、黑兩根表筆短路,進(jìn)行歐姆調(diào)零。
1、正向特性測(cè)試
利用二極管單向?qū)ǖ奶匦?,二極管工作原理就是如此,把萬(wàn)用表的黑表筆(表內(nèi)正極)搭觸二極管的正極,紅表筆(表內(nèi)負(fù)極)搭觸二極管的負(fù)極。若表針不擺到0值而是停在標(biāo)度盤的中間,這時(shí)的阻值就是二極管的正向電阻,一般正向電阻越小越好。若正向電阻為0值,說(shuō)明管芯短路損壞,若正向電阻接近無(wú)窮大值,說(shuō)明管芯斷路。短路和斷路的管子都不能使用。
2、反向特性測(cè)試
把萬(wàn)且表的紅表筆搭觸二極管的正極,黑表筆搭觸二極管的負(fù)極,若表針指在無(wú)窮大值或接近無(wú)窮大值,管子就是合格的。
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摘要 : 產(chǎn)品品類齊全 全系列任意定制
1、12年生產(chǎn)和銷售整流橋、肖特基二極管和快恢復(fù)二極管。 選材 從“芯“出發(fā)
2、整流橋系列產(chǎn)品采用GPP芯片,肖特基ASEMI半導(dǎo)體主要特點(diǎn)以及詳細(xì)介紹 產(chǎn)品品類齊全 全系列任意定制 1、12年生產(chǎn)和銷售整流橋、肖特基二極管和快恢復(fù)二極管。 選材 從“芯“出發(fā)
2、整流橋系列產(chǎn)品采用臺(tái)灣GPP芯片,肖特基二極管和快恢復(fù)二極管80%采用由俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片及20%采用先進(jìn)的SCHOTTKY生產(chǎn)廠家立昂(Lion)芯片質(zhì)量穩(wěn)定 使用壽命長(zhǎng) 臺(tái)灣原裝原廠工藝
3、擁有先進(jìn)的加嚴(yán)測(cè)試及老化設(shè)備,采用臺(tái)灣健鼎的一體化測(cè)試設(shè)備且同時(shí)通過(guò)6道檢測(cè)工序方可出廠,保證了產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和高可靠性。 降低成本
4、ASEMI半導(dǎo)體所有的產(chǎn)品均采用的鐳射激光打標(biāo)印字,即又保證了生產(chǎn)效率,從而降低了銷售成本。 產(chǎn)品框架采用高純度無(wú)氧銅制作
5、ASEMI半導(dǎo)體框架結(jié)構(gòu)選用純度高達(dá)99.99%無(wú)氧銅材質(zhì),具有抗彎曲、防止氧化、高導(dǎo)電性和美觀大方的優(yōu)點(diǎn)。 一次性澆筑成型 縮短成品交貨周期
6、縮短交貨周期。采用環(huán)氧塑脂材質(zhì)一次性澆鑄成型,并且保證了產(chǎn)品的包封性和阻燃性能。 化的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì),可協(xié)同用戶研發(fā)設(shè)計(jì)新品,提供現(xiàn)場(chǎng)指導(dǎo)
7、工程師及管理人才27人,獨(dú)自研發(fā)的20多項(xiàng)專利技術(shù)應(yīng)用于ASEMI半導(dǎo)體中取得良好效果。
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摘要 : 在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。我們從二極管工作原理來(lái)理解一下二極管的反向擊穿
在高摻雜濃度的情況下,因勢(shì)壘區(qū)寬度很小,MUR2080CTR功放對(duì)管,反向電壓較大時(shí),破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu),功放對(duì)管,使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛,MUR3040CTR功放對(duì)管,產(chǎn)生電子-空穴對(duì),致使電流急劇增大,這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低,勢(shì)壘區(qū)寬度較寬,不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 另一種雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí),外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快,從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞,把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵,產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子,載流子雪崩式地增加,致使電流急劇增加,這種擊穿稱為雪崩擊穿。無(wú)論哪種擊穿,若對(duì)其電流不加限制,都可能造成PN結(jié)損壞
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