刻蝕機(jī)

刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，等離子刻蝕機(jī)尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，離子束刻蝕機(jī)品牌，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，離子束刻蝕機(jī)原理，則產(chǎn)出率越高。

本產(chǎn)品信息有創(chuàng)世威納提供，如果您想了解更多產(chǎn)品信息您可撥打圖片上的電話進(jìn)行咨詢！

離子束刻蝕

離子束刻蝕是通過物理濺射功能進(jìn)行加工的離子銑。國(guó)內(nèi)應(yīng)用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機(jī)通常由屏柵和加速柵組成離子光學(xué)系統(tǒng)，其工作臺(tái)可以方便地調(diào)整傾角，使碲鎘基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉(zhuǎn)

創(chuàng)世威納擁有先進(jìn)的技術(shù)，我們都以質(zhì)量為本，浙江離子束刻蝕機(jī)，信譽(yù)高，我們竭誠(chéng)歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務(wù)。如果您對(duì)離子束刻蝕感興趣，歡迎點(diǎn)擊左右兩側(cè)的在線客服，或撥打咨詢電話。

反應(yīng)離子刻蝕的操作方法

通過向晶片盤片施加強(qiáng)RF（射頻）電磁場(chǎng)，在系統(tǒng)中啟動(dòng)等離子體。該場(chǎng)通常設(shè)定為13.56兆赫茲的頻率，施加在幾百瓦特。振蕩電場(chǎng)通過剝離電子來電離氣體分子，從而產(chǎn)生等離子體 [3]  。在場(chǎng)的每個(gè)循環(huán)中，電子在室中上下電加速，有時(shí)撞擊室的上壁和晶片盤。同時(shí)，響應(yīng)于RF電場(chǎng)，更大質(zhì)量的離子移動(dòng)相對(duì)較少。當(dāng)電子被吸收到腔室壁中時(shí)，離子束刻蝕機(jī)報(bào)價(jià)，它們被簡(jiǎn)單地送到地面并且不會(huì)改變系統(tǒng)的電子狀態(tài)。然而，沉積在晶片盤片上的電子由于其DC隔離而導(dǎo)致盤片積聚電荷。這種電荷積聚在盤片上產(chǎn)生大的負(fù)電壓，通常約為幾百伏。由于與自由電子相比較高的正離子濃度，等離子體本身產(chǎn)生略微正電荷。由于大的電壓差，正離子傾向于朝向晶片盤漂移，在晶片盤中它們與待蝕刻的樣品碰撞。離子與樣品表面上的材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，但也可以通過轉(zhuǎn)移一些動(dòng)能來敲除（濺射）某些材料。由于反應(yīng)離子的大部分垂直傳遞，反應(yīng)離子蝕刻可以產(chǎn)生非常各向異性的蝕刻輪廓，這與濕化學(xué)蝕刻的典型各向同性輪廓形成對(duì)比。RIE系統(tǒng)中的蝕刻條件很大程度上取決于許多工藝參數(shù)，例如壓力，氣體流量和RF功率。 RIE的改進(jìn)版本是深反應(yīng)離子蝕刻，用于挖掘深部特征。

浙江離子束刻蝕機(jī)-北京創(chuàng)世威納-離子束刻蝕機(jī)原理由北京創(chuàng)世威納科技有限公司提供。北京創(chuàng)世威納科技有限公司為客戶提供“磁控濺射鍍膜機(jī),電子束/熱阻蒸發(fā)機(jī),ICP,RIE,IBE”等業(yè)務(wù)，公司擁有“創(chuàng)世威納”等品牌，專注于電子、電工產(chǎn)品制造設(shè)備等行業(yè)。歡迎來電垂詢，聯(lián)系人：蘇經(jīng)理。