刻蝕工藝過程

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等離子體刻蝕工藝包括以下六個(gè)步驟。 分離： 氣體由等離子體分離為可化學(xué)反應(yīng)的元素； 擴(kuò)散： 這些元素?cái)U(kuò)散并吸附到硅片表面； 表面擴(kuò)散：到達(dá)表面后，大樣片離子束刻蝕機(jī)價(jià)格， 四處移動(dòng)； 反應(yīng)： 與硅片表面的膜發(fā)生反應(yīng)； 解吸： 反應(yīng)的生成物解吸，大樣片離子束刻蝕機(jī)品牌， 離開硅片表面； 排放： 排放出反應(yīng)腔。

離子束刻蝕機(jī)的應(yīng)用

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應(yīng)用先進(jìn)的離子束濺射和離子束刻蝕工藝，大樣片離子束刻蝕機(jī)哪家好，將應(yīng)變電橋直接制作在金屬測(cè)壓膜片上。由于不用傳統(tǒng)的膠粘工藝，顯著改善了應(yīng)變式傳感器的長(zhǎng)期穩(wěn)定性及抗蠕變特性，使產(chǎn)品使用的溫度范圍大為擴(kuò)展。由于沒有活動(dòng)部件，抗振動(dòng)和抗沖的能力很強(qiáng)，可用于惡劣的環(huán)境。

離子束刻蝕速率

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刻蝕速率是指單位時(shí)間內(nèi)離子從材料表面刻蝕去除的材料厚度，單位通常為A/minnm/min.刻蝕速率與諸多因素有關(guān)，包括離子能量、束流密度、離子入射方向、材料溫度及成分、氣體與材料化學(xué)反應(yīng)狀態(tài)及速率、刻蝕生成物、物理與化學(xué)功能強(qiáng)度配比、材料種類、電子中和程度等。

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