目的和用途該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。1.2 測(cè)試對(duì)象IGBT、FRD、肖特基二極管等功率半導(dǎo)體模塊2.測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)2.1開(kāi)關(guān)時(shí)間測(cè)試單元技術(shù)條件開(kāi)通時(shí)間測(cè)試參數(shù)：1、開(kāi)通時(shí)間ton：5～2000ns±3%±3ns2、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)：5～2000ns±3%±3ns3、上升時(shí)間tr：5～2000ns±3%±3ns4、開(kāi)通能量： 0.2～1mJ±5%±0.01mJ1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ100～500mJ±5%±2mJ5、開(kāi)通電流上升率di/dt測(cè)量范圍：200-10000A/uS6、開(kāi)通峰值功率Pon：10W～250kW

主要參數(shù)測(cè)試范圍精度要求測(cè)試條件

Vce

集射極電壓150～3300V150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V；150～3300V

Ic

集射極電流1～200A1～200A±3%±1A；1～200A

Vge

柵極電壓-30V～30V-30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V-30V～30V

Qg

柵極電荷400~20000nCIg: 0～50A±3%±0.1mA;400~20000nC

td(on)、td(off)

開(kāi)通/關(guān)斷延遲10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時(shí)間10～1000ns10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開(kāi)通/關(guān)斷能量1～5000mJ1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

8）高壓大功率開(kāi)關(guān)

?電流能力200A

?隔離耐壓10kV

?響應(yīng)時(shí)間150ms

?脈沖電流20kA（不小于10ms）

?工作方式氣動(dòng)控制

?工作氣壓0.4MPa

?工作溫度室溫～40℃

?工作濕度<70%

9）尖峰抑制電容

用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過(guò)程中的IGBT器件電壓過(guò)沖。

?電容容量200μF

?分布電感小于10nH

?脈沖電流200A

?工作溫度室溫～40℃

?工作濕度<70%

華科大功率IGBT-封裝用IGBT測(cè)試儀廠家由深圳市華科智源科技有限公司提供。深圳市華科智源科技有限公司擁有很好的服務(wù)與產(chǎn)品，不斷地受到新老用戶及業(yè)內(nèi)人士的肯定和信任。我們公司是商盟認(rèn)證會(huì)員，點(diǎn)擊頁(yè)面的商盟客服圖標(biāo)，可以直接與我們客服人員對(duì)話，愿我們今后的合作愉快！