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5、場效應(yīng)管在源極未與襯底連在一起時(shí)，源極和漏極可以互換使用，20N10場效應(yīng)管供應(yīng)，且特性變化不大，而三極管的集電極與發(fā)射極互換使用時(shí)，其特性差異很大，場效應(yīng)管供應(yīng)，b 值將減小很多。

6、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小，在低噪聲放大電路的輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。

7、場效應(yīng)管和普通晶體三極管均可組成各種放大電路和開關(guān)電路，但是場效應(yīng)管制造工藝簡單，并且又具有普通晶體三極管不能比擬的特性，在各種電路及應(yīng)用中正逐步的取代普通晶體三極管，目前的大規(guī)模和大規(guī)模集成電路中，已經(jīng)廣泛的采用場效應(yīng)管。

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MOS管應(yīng)用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，25N120場效應(yīng)管供應(yīng)，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負(fù)極，100N10場效應(yīng)管供應(yīng)，柵極G正電壓時(shí)導(dǎo)電溝道建立，N溝道MOS管開始工作，如圖二所示。同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負(fù)極，源極S接正極，柵極G負(fù)電壓時(shí)，導(dǎo)電溝道建立，P溝道MOS管開始工作，如圖

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6N60_mos管ASEMI供應(yīng)廠商

FEATURE

6A，600V，R DS(ON) =1.2Ω@V GS =10V/3A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

 avalanche tested

Improved dv/dt capability

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管。或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

場效應(yīng)管供應(yīng)-ASEMI-100N10場效應(yīng)管供應(yīng)由鼎芯實(shí)業(yè)（深圳）有限公司提供。鼎芯實(shí)業(yè)（深圳）有限公司是從事“電源IC,整流橋,肖特基,快恢復(fù)全系列”的企業(yè)，公司秉承“誠信經(jīng)營，用心服務(wù)”的理念，為您提供高質(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)。歡迎來電咨詢！聯(lián)系人：李強(qiáng)。同時(shí)本公司還是從事整流橋型號參數(shù)，整流橋型號封裝，整流橋型號價(jià)格的廠家，歡迎來電咨詢。