90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

編輯-LL

90N10/100N10-ASEMI_MOSFET管

MOS管驅(qū)動

跟雙極性晶體管相比，普通以為使MOS管導(dǎo)通不需求電流，只需GS電壓高于一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需求速度。在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅(qū)動，理論上就是對電容的充放電。對電容的充電需求一個電流，由于對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設(shè)計MOS管驅(qū)動時要留意的是可提供瞬間短路電流的大小。第二留意的是，普遍用于驅(qū)動的NMOS，場效應(yīng)管，導(dǎo)通時需求是柵極電壓大于源極電壓。而驅(qū)動的MOS管導(dǎo)通時源極電壓與漏極電壓（VCC）相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。假設(shè)在同一個系統(tǒng)里，要得到比VCC大的電壓，就要特地的升壓電路了。很多馬達(dá)驅(qū)動器都集成了電荷泵，要留意的是應(yīng)該選擇適合的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅(qū)動MOS管。上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導(dǎo)通電壓，設(shè)計時當(dāng)然需求有一定的余量。而且電壓越高，A29T場效應(yīng)管，導(dǎo)通速度越快，導(dǎo)通電阻也越小。往常也有導(dǎo)通電壓更小的MOS管用在不同的范疇里，但在12V汽車電子系統(tǒng)里，20N10場效應(yīng)管，普通4V導(dǎo)通就夠用了。

編輯-LL

6N60_mos管ASEMI供應(yīng)廠商

FEATURE

6A，600V，R DS(ON) =1.2Ω@V GS =10V/3A

Low gate charge

Low C iss

Fast switching

 avalanche tested

Improved dv/dt capability

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。

編輯-LL

90N10/100N10-ASEMI-MOSFET管

1，MOS管種類和結(jié)構(gòu)

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制構(gòu)成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但理論應(yīng)用的只需增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。至于為什么不運(yùn)用耗盡型的MOS管，不建議尋根究底。關(guān)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。緣由是導(dǎo)通電阻小，且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動的應(yīng)用中，普通都用NMOS。下面的引見中，也多以NMOS為主。 MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需求的，24N50場效應(yīng)管，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設(shè)計或選擇驅(qū)動電路的時分要省事一些，但沒有辦法避免，后邊再細(xì)致引見。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動理性負(fù)載，這個二極管很重要。順便說一句，體二極管只在單個的MOS管中存在，在集成電路芯片內(nèi)部通常是沒有的。

A29T場效應(yīng)管-場效應(yīng)管-ASEMI由鼎芯實(shí)業(yè)（深圳）有限公司提供。鼎芯實(shí)業(yè)（深圳）有限公司在二極管這一領(lǐng)域傾注了諸多的熱忱和熱情，鼎芯實(shí)業(yè)一直以客戶為中心、為客戶創(chuàng)造價值的理念、以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場，衷心希望能與社會各界合作，共創(chuàng)成功，共創(chuàng)**。相關(guān)業(yè)務(wù)歡迎垂詢，聯(lián)系人：李強(qiáng)。同時本公司還是從事單相整流方橋，單相整流橋定制，單相整流橋價格的廠家，歡迎來電咨詢。