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干法刻蝕
干法刻蝕種類很多,聚焦離子束刻蝕機廠家,包括光揮發(fā)、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。其優(yōu)點是:各向異性好,選擇比高,可控性、靈活性、重復(fù)性好,細(xì)線條操作安全,易實現(xiàn)自動化,無化學(xué)廢液,處理過程未引入污染,潔凈度高。缺點是:成本高,設(shè)備復(fù)雜。干法刻蝕主要形式有純化學(xué)過程(如*式,聚焦離子束刻蝕機生產(chǎn)廠家,下游式,桶式),純物理過程(如離子銑),物理化學(xué)過程,常用的有反應(yīng)離子刻蝕RIE,離子束輔助自由基刻蝕ICP等。干法刻蝕方式很多,一般有:濺射與離子束銑蝕, 等離子刻蝕(Plasma Etching),高壓等離子刻蝕,高密度等離子體(HDP)刻蝕,反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。另外,化學(xué)機械拋光CMP,剝離技術(shù)等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術(shù)。
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離子束刻蝕機
離子束刻蝕是利用離子束直接轟擊工件,將工件上的材料濺射出來,實現(xiàn)材料去除的目的。離子束刻蝕是純物理刻蝕過程,在各種常規(guī)刻蝕方法中具有分辨率較高、陡直性較好的特點。應(yīng)用于在基板表面拋光或材料的去除,尤其適用于金屬材料薄膜的刻蝕,如Cu、Au、Pt、Ti、Ni、niCr等。
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反應(yīng)性離子刻蝕
以下是創(chuàng)世威納為您一起分享的內(nèi)容,創(chuàng)世威納**生產(chǎn)反應(yīng)性離子刻蝕機,歡迎新老客戶蒞臨。
反應(yīng)性離子刻蝕 (reaction ionetching;RIE)是制作半導(dǎo)體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時,聚焦離子束刻蝕機,利用反應(yīng)性氣體的離子束,聚焦離子束刻蝕機報價,切斷保護膜物質(zhì)的化學(xué)鍵,使之產(chǎn)生低分子物質(zhì),揮發(fā)或游離出板面,這樣的方法稱為反應(yīng)性離子刻蝕。
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