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磁控濺射鍍膜儀應(yīng)用廣泛
目前我國磁控濺射鍍膜儀市場銷售非常火熱,這是一項熱門的新技術(shù),它帶給企業(yè)和廠家的不僅僅是技術(shù),還能夠節(jié)省大量的人工運作成本,因此深受廣大用戶的青睞。
磁控濺射鍍膜設(shè)備可制備多種薄膜,不同功能的薄膜,還可沉積組分混合的混合物、化合物薄膜;磁控濺射等離子體阻抗低,從而導(dǎo)致了高放電電流,在約500V的電壓下放電電流可從1A 到100A(取決于陰極的長度);成膜速率高,沉積速率變化范圍可從1nm/s到10nm/s;成膜的一致性好,甚至是在數(shù)米長的陰極濺射的情況下,仍能保證膜層的一致性;基板溫升低;濺射出來的粒子能量約為幾十電子伏特,成膜較為致密,且膜基結(jié)合較好。
磁控濺射鍍膜設(shè)備得以廣泛的應(yīng)用是因為該技術(shù)的特點所決定的,其特點可歸納為:可制備成靶材的各種材料均可作為薄膜材料,包括各種金屬、半導(dǎo)體、鐵磁材料,以及絕緣的氧化物、陶瓷、聚合物等物質(zhì)。
另外磁控濺射調(diào)節(jié)參數(shù)則可調(diào)諧薄膜性能,尤其適合大面積鍍膜,沉積面積大膜層比較均勻。
近年來,磁控濺射鍍膜設(shè)備在我國愈發(fā)的流行,從側(cè)面反映出了我國工業(yè)發(fā)展十分迅速,今后設(shè)備取代人工的可能性是非常巨大的。
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磁控濺射法的優(yōu)勢
目前常用的制備CoPt 磁性薄膜的方法是磁控濺射法。磁控濺射法是在高真空充入適量的ya氣,在陰極(柱狀靶或平面靶)和陽極(鍍膜室壁) 之間施加幾百K 直流電壓,在鍍膜室內(nèi)產(chǎn)生磁控型異常輝光放電,使ya氣發(fā)生電離。ya離子被陰極加速并轟擊陰極靶表面,將靶材表面原子濺射出來沉積在基底表面上形成薄膜。通過更換不同材質(zhì)的靶和控制不同的濺射時間,便可以獲得不同材質(zhì)和不同厚度的薄膜。磁控濺射法具有鍍膜層與基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻等優(yōu)點。
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直流濺射法
直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極,從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料,不適于絕緣材料。因為轟擊絕緣靶材時,表面的離子電荷無法中和,這將導(dǎo)致靶面電位升高,外加電壓幾乎都加在靶上,磁控濺射裝置,兩極間的離子加速與電離的機(jī)會將變小,甚至不能電離,導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止,濺射停止。故對于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁?,須用射頻濺射法(RF)。
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