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濺射鍍膜技術(shù)
濺射鍍膜濺射鍍膜就是在真空中利用荷能粒子轟擊靶表面,使被轟擊出的粒子沉積在基片上的技術(shù)。通常,利用低壓惰性氣體輝光放電來產(chǎn)生入射離子。陰極靶由鍍膜材料制成,基片作為陽極,真空室中通入0.1-10Pa的Ar或其它惰性氣體,在陰極(靶)1-3KV直流負高壓或13.56MHz的射頻電壓作用下產(chǎn)生輝光放電。電離出的離子轟擊靶表面,使得靶原子濺出并沉積在基片上,形成薄膜。濺射方法很多,主要有二級濺射、三級或四級濺射、磁控濺射、對靶濺射、射頻濺射、偏壓濺射、非對稱交流射頻濺射、離子束濺射以及反應(yīng)濺射等。
由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的,因而濺射出來的原子能量高,有利于提高沉積時原子的擴散能力,提高沉積組織的致密程度,使制出的薄膜與基片具有強的附著力。濺射時,氣體被電離之后,氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材,電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下,產(chǎn)生的離子數(shù)目少,靶材濺射效率低;而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產(chǎn)生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射,影響制膜質(zhì)量。另外,靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加,因而被散射到整個腔體,既會造成靶材浪費,又會在制備多層膜時造成各層的污染。
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磁控濺射鍍膜機技術(shù)原理
真空磁控濺射鍍膜技術(shù)是通過真空磁控濺射鍍膜機實現(xiàn)的,鍍膜機內(nèi)由不同級別的真空泵抽氣,在系統(tǒng)內(nèi)營造出一個鍍膜所需的真空環(huán)境,磁控濺射鍍膜機工作原理,真空度要達到鍍膜所需的本底真空,一般在(1~5)×10-8 Pa。在真空環(huán)境中向靶材(陰極)下充入工藝氣體氣(Ar),氣在外加電場(由直流或交流電源產(chǎn)生)作用下發(fā)生電離生成離子(Ar ),磁控濺射鍍膜機,同時在電場E的作用下,離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面,使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子(或分子)沉積在PET基片上形成薄膜。同時被濺射出的二次電子在陰極暗區(qū)被加速,在飛向基片的過程中,落入設(shè)定的正交電磁場的電子阱中,直接被磁場的洛倫茲力束縛,使其在磁場B的洛倫茲力作用下,以旋輪線和螺旋線的復(fù)合形式在靶表面附近作回旋運動。電子e的運動被電磁場束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內(nèi),使其到達陽極前的行程大大增長,大大增加碰撞電離幾率,使得該區(qū)域內(nèi)氣體原子的離化率增加,磁控濺射鍍膜機價格,轟擊靶材的高能Ar 離子增多,從而實現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點。在運用該機理開發(fā)磁控膜的過程中,要注意以下幾個問題:①保證整體工藝中各個環(huán)節(jié)的可靠性。具體包括靶材質(zhì)量、工藝氣體純度、原膜潔凈程度、原膜質(zhì)量等基礎(chǔ)因素,這一系列因素會對鍍膜產(chǎn)品的終質(zhì)量產(chǎn)生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對陰極的前后順序布置實現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應(yīng)氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等??傊?,只有控制好以上各因素,才能夠保證所開發(fā)的鍍膜PET具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的性能和耐久性。
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濺射鍍膜
由于被濺射原子是與具有數(shù)十電子伏特能量的正離子交換動能后飛濺出來的,因而濺射出來的原子能量高,有利于提高沉積時原子的擴散能力,提高沉積組織的致密程度,使制出的薄膜與基片具有強的附著力。濺射時,氣體被電離之后,氣體離子在電場作用下飛向接陰極的靶材,電子則飛向接地的壁腔和基片。這樣在低電壓和低氣壓下,產(chǎn)生的離子數(shù)目少,靶材濺射效率低;而在高電壓和高氣壓下,盡管可以產(chǎn)生較多的離子,但飛向基片的電子攜帶的能量高,容易使基片發(fā)熱甚至發(fā)生二次濺射,影響制膜質(zhì)量。另外,磁控濺射鍍膜機廠家,靶材原子在飛向基片的過程中與氣體分子的碰撞幾率也大為增加,因而被散射到整個腔體,既會造成靶材浪費,又會在制備多層膜時造成各層的污染。
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