我國(guó)真空鍍膜機(jī)行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀和前景分析

隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)材料的綜合性能要求也不斷提高，單一材料性能已不能滿足某些特定環(huán)境下工作機(jī)械的性能要求。國(guó)內(nèi)真空離子鍍膜機(jī)經(jīng)過幾十年的發(fā)展，相對(duì)于國(guó)外高1端鍍膜設(shè)備而言，在自動(dòng)化程度與技術(shù)上取得了一定的進(jìn)步，但在鍍膜產(chǎn)品穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性方面尚需提升，高1端設(shè)備仍依賴進(jìn)口。同時(shí)多弧離子鍍膜機(jī)低端產(chǎn)品市場(chǎng)存在供大于求的情況，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)較為激烈。

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磁控濺射鍍膜機(jī)

銦錫氧化物( Indium Tin Oxide ，簡(jiǎn)稱ITO) 薄膜是一種用途廣泛的透明導(dǎo)電材料，已成熟的應(yīng)用于電機(jī)車擋風(fēng)玻璃、液晶顯示器件、太陽能電池、全息照相和液晶彩色電視等，蓄勢(shì)待發(fā)的應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橛袡C(jī)發(fā)光二極管顯示器(Organic Light-Emitting Diode ，簡(jiǎn)稱OLED) 。從應(yīng)用角度出發(fā)，通常要求ITO 薄膜的成份是In2O3 和SnO2 ，薄膜中銦錫低價(jià)化合物愈少愈好。ITO 薄膜的制備方法很多，如噴涂、蒸發(fā)、射頻濺射和磁控濺射等。隨著液晶顯示器技術(shù)向高精細(xì)化和大型化發(fā)展，磁控濺射法備受歡迎。

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磁控濺射鍍膜機(jī)技術(shù)原理

真空磁控濺射鍍膜技術(shù)是通過真空磁控濺射鍍膜機(jī)實(shí)現(xiàn)的，鍍膜機(jī)內(nèi)由不同級(jí)別的真空泵抽氣，在系統(tǒng)內(nèi)營(yíng)造出一個(gè)鍍膜所需的真空環(huán)境，真空度要達(dá)到鍍膜所需的本底真空，一般在（1~5）×10-8 Pa。在真空環(huán)境中向靶材（陰極）下充入工藝氣體氣（Ar），磁控濺射鍍膜機(jī)，氣在外加電場(chǎng)（由直流或交流電源產(chǎn)生）作用下發(fā)生電離生成離子（Ar ），同時(shí)在電場(chǎng)E的作用下，離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子（或分子）沉積在PET基片上形成薄膜。同時(shí)被濺射出的二次電子在陰極暗區(qū)被加速，在飛向基片的過程中，落入設(shè)定的正交電磁場(chǎng)的電子阱中，直接被磁場(chǎng)的洛倫茲力束縛，使其在磁場(chǎng)B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復(fù)合形式在靶表面附近作回旋運(yùn)動(dòng)。電子e的運(yùn)動(dòng)被電磁場(chǎng)束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內(nèi)，使其到達(dá)陽極前的行程大大增長(zhǎng)，大大增加碰撞電離幾率，使得該區(qū)域內(nèi)氣體原子的離化率增加，轟擊靶材的高能Ar 離子增多，從而實(shí)現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點(diǎn)。在運(yùn)用該機(jī)理開發(fā)磁控膜的過程中，要注意以下幾個(gè)問題：①保證整體工藝中各個(gè)環(huán)節(jié)的可靠性。具體包括靶材質(zhì)量、工藝氣體純度、原膜潔凈程度、原膜質(zhì)量等基礎(chǔ)因素，這一系列因素會(huì)對(duì)鍍膜產(chǎn)品的終質(zhì)量產(chǎn)生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對(duì)陰極的前后順序布置實(shí)現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應(yīng)氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。總之，只有控制好以上各因素，才能夠保證所開發(fā)的鍍膜PET具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的性能和耐久性。

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