磁控濺射鍍膜機(jī)工藝

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化

關(guān)鍵工藝參數(shù)的優(yōu)化基于實(shí)驗(yàn)探索。實(shí)驗(yàn)是在自制的雙室直流磁控濺射鍍膜設(shè)備上進(jìn)行的。該設(shè)備的鍍膜室采用內(nèi)腔尺寸為6700mm ×800mm ×2060mm的箱式形狀，抽氣系統(tǒng)采用兩套K600 擴(kuò)散泵機(jī)組，靶材采用德國(guó)Leybold 公司生產(chǎn)的陶瓷靶，ITO 薄膜基底是尺寸為1000mm ×500mm ×5mm 的普通浮法玻璃。

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磁控濺射的工作原理

是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長(zhǎng)，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來(lái)轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下終沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過(guò)程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過(guò)程，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過(guò)程。在這種級(jí)聯(lián)過(guò)程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開(kāi)靶被濺射出來(lái)。

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磁控濺射鍍機(jī)

磁控濺射鍍一層薄薄的膜是工業(yè)化中必不可少的技術(shù)性之首，磁控濺射鍍一層薄薄的膜技術(shù)性正運(yùn)用于全透明導(dǎo)電膜、電子光學(xué)膜、超硬膜、耐腐蝕膜、帶磁膜、增透膜、減反膜及其各種各樣裝飾膜，在安全和社會(huì)經(jīng)濟(jì)生產(chǎn)制造中的功效和影響力日漸強(qiáng)勁。鍍一層薄薄的膜加工工藝中的塑料薄膜薄厚勻稱性，堆積速度，靶材使用率等層面的難題是具體生產(chǎn)制造中非常關(guān)心的。處理這種具體難題的方式 是對(duì)涉及到無(wú)心插柳堆積全過(guò)程的所有要素開(kāi)展總體的可靠性設(shè)計(jì)，創(chuàng)建1個(gè)無(wú)心插柳鍍一層薄薄的膜的綜合性布置系統(tǒng)軟件。塑料薄膜薄厚勻稱性是檢測(cè)無(wú)心插柳堆積全過(guò)程的關(guān)鍵主要參數(shù)之首，因而對(duì)膜厚勻稱性綜合性布置的科學(xué)研究具備關(guān)鍵的基礎(chǔ)理論和運(yùn)用使用價(jià)值。

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