反應離子刻蝕

反應離子腐蝕技術是一種各向異性很強、選擇性高的干法腐蝕技術。它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進行刻蝕的，利用了離子誘導化學反應來實現(xiàn)各向異性刻蝕，即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，聚焦離子束刻蝕機，同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。但是該刻蝕技術不能獲得較高的選擇比，對表面的損傷大，有污染，聚焦離子束刻蝕機多少錢，難以形成更精細的圖形。

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反應性離子刻蝕

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反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質的化學鍵，使之產生低分子物質，揮發(fā)或游離出板面，聚焦離子束刻蝕機安裝，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。

離子束刻蝕

離子束刻蝕是通過物理濺射功能進行加工的離子銑。國內應用廣泛的雙柵考夫曼刻蝕機通常由屏柵和加速柵組成離子光學系統(tǒng)，聚焦離子束刻蝕機品牌，其工作臺可以方便地調整傾角，使碲鎘基片法線與離子束的入射方向成θ角，并繞自身的法線旋轉

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