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編輯-LL
快充電流原理:
AC220V市電經(jīng)變壓器T1,經(jīng)D1-D4全波整流后,供給充電電路工作。當(dāng)輸出端按正確極性接入設(shè)定的被充電瓶后,若整流輸出脈動(dòng)電壓的每個(gè)半波峰值超過電瓶的輸出電壓,則可控硅SCR經(jīng)Q的集電極電流觸發(fā)導(dǎo)通,電流經(jīng)可控硅給電瓶充電。脈動(dòng)電壓接近電瓶電壓時(shí),可控硅關(guān)斷,停止充電。調(diào)節(jié)R4,可調(diào)節(jié)晶體管Q的導(dǎo)通電壓,一般可將R4由大到小調(diào)整到Q導(dǎo)通能觸發(fā)可控硅(導(dǎo)通)即可。圖中發(fā)光管D5用作電源指示,而D6用作充電指示。
編輯:L
FMB40M-ASEMI快恢復(fù)軟橋
型號:FMB40M
品牌:ASEMI
封裝:FMB-4
類型:貼片小橋
溫度范圍:-55℃~150℃
針腳:4條
電流:4A
反向耐壓:1000V
產(chǎn)品描述:快恢復(fù)橋/軟橋
強(qiáng)元芯電子致力于顯示器,適配器,電源,ULBFR410軟橋,電磁爐,LCD,通信PC等相關(guān)產(chǎn)業(yè)技術(shù)方案的推廣和器件配套業(yè)務(wù),并被越來越多的國內(nèi)外企業(yè)所了解和熟識(shí)??旎謴?fù)軟橋FMB40M,基礎(chǔ)參數(shù)為4A 1000V
目前,F(xiàn)MB40M軟橋,ASEMI半導(dǎo)體大陸工廠擁有一支具有高水平研究開發(fā)和生產(chǎn)制造實(shí)踐的人才團(tuán)隊(duì),其中電子、機(jī)械、工程管理各類**工程師及管理人才27人,他們將自己研發(fā)的20多項(xiàng)專利技術(shù)應(yīng)用于肖特基二極管、
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MSB310_ASEMI快充專用貼片整流橋
型號:MSB310
品牌:ASEMI
封裝:MSB-4
電性參數(shù):3A 1000V
特性:貼片快充整流橋
芯片材質(zhì):快恢復(fù)芯片
產(chǎn)品描述:快恢復(fù)軟橋/恢復(fù)整流橋
快充整流橋體積小。氮化材料本身優(yōu)異的性能,使得做出來的氮化比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET 等芯片面積更小,軟橋,同時(shí)由于更耐高壓,大電流,氮化芯片功率密度更大,因此功率密度/面積遠(yuǎn)超硅基。此外由于使用氮化芯片還減少了周邊的其他元件的使用,電容、電感、線圈等被動(dòng)件比硅基方案少得多,也進(jìn)一步縮小了體積。
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