廣州市茂美標(biāo)牌加工廠，座落于番禺區(qū)橋南街陳涌工業(yè)區(qū)，專注于腐蝕面板加工，腐蝕面板定制，機(jī)械控制面板定做，不銹鋼蝕刻面板加工，機(jī)械面板腐蝕定制，設(shè)備蝕刻面板加工，腐蝕機(jī)械面板定制，機(jī)箱設(shè)備面板定制、電子秤按鍵面板定做等，接單領(lǐng)域主要集中在廣州、深圳 、佛山 、東莞、中山、珠海、江門、肇慶、惠州等地，均可加工定制生產(chǎn)。產(chǎn)品還有腐蝕標(biāo)牌，不銹鋼直尺加工、鋁銘牌制作、不銹鋼銘牌制作、機(jī)械設(shè)備控制面板、亞克力標(biāo)牌等。制作工藝：UV印刷、噴漆、絲印、熱轉(zhuǎn)印、凹凸，沖壓、磨光、拉絲、電鍍、氧化、噴砂、激光、注塑、磨光、電鑄、腐蝕等一體化的大型**標(biāo)牌加工制作廠。

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頂噴式減薄工藝原理和流程工藝原理

設(shè)備采用頂部噴灑方式進(jìn)行蝕刻減薄LCD面板/玻璃基板。通過專用噴頭等噴淋裝置，以近似于霧狀的噴淋方式，將蝕刻藥液均勻的噴灑在蝕刻產(chǎn)品表面。工作過程中被蝕刻的玻璃基板等產(chǎn)品通過特定的匣具（Cassette）垂直固定，通過噴淋裝置從頂部噴灑，腐蝕設(shè)備面板加工哪家便宜，并且在蝕刻產(chǎn)品的表面形成瀑布狀蝕刻流，通過智能自動(dòng)化PLC電氣控制系統(tǒng)，以及在線監(jiān)控和過濾等輔助系統(tǒng)裝置，實(shí)現(xiàn)類同于雙面瀑布流蝕刻的自動(dòng)化減薄。同時(shí)通過形成的瀑布蝕刻流沖刷帶走蝕刻后的反應(yīng)物，避免反應(yīng)物在蝕刻產(chǎn)品表面的沉積和粘附，有效提高蝕刻減薄效率和減薄產(chǎn)品的良率。

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Plasma在干蝕刻中的應(yīng)用在高周波電場(chǎng)中電子被來回加速，加速后的電子轟擊氣體分子或原子，使分子或粒子解離出新的電子(α作用) 而產(chǎn)生Ion，或者使分子解離為高活性的自由基。高活性的自由基會(huì)和玻璃基板表面所鍍的薄膜物質(zhì)進(jìn)行反應(yīng)。

因此Plasma被用在半導(dǎo)體，LCD行業(yè)中Etching的工藝中，多用在硅和硅的化合物（SiNx、SiOx 等）的蝕刻工藝，隨著設(shè)備的改進(jìn)，也可用于金屬鋁的蝕刻。

Plasma蝕刻設(shè)備昂貴，但生產(chǎn)過程中耗費(fèi)的Material非常少， Plasma蝕刻的優(yōu)點(diǎn)在于：蝕刻的精ds確度很好，速度快，蝕刻均一性好，化學(xué)品消耗低（較酸液蝕刻）。

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少腐蝕危害產(chǎn)生的巨大經(jīng)濟(jì)損失

腐蝕導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)的巨大損失已是眾所周知的事實(shí)。以年產(chǎn)30萬噸合成氨裝置為例，每年因設(shè)備腐蝕失效導(dǎo)致物料泄漏、工藝流程停產(chǎn)一天就損失約 60 萬元，該裝置中的轉(zhuǎn)化爐是其心臟設(shè)備，由于高溫腐蝕，每更換一根爐管就會(huì)造成三天停產(chǎn)，每損壞 17 根爐管造成停產(chǎn)的損失相當(dāng)于一臺(tái)轉(zhuǎn)化爐的造價(jià)；由于腐蝕，停車 100 次其損失相當(dāng)于整個(gè)合成氨廠的總投資。一個(gè)年產(chǎn) 30 萬噸乙烯的裝置每停產(chǎn)一天造成的損失高達(dá) 750 萬元。從國(guó)內(nèi)石油化工生產(chǎn)企業(yè)統(tǒng)計(jì)，1999 年瀘天化年總產(chǎn)值 8.284 億元，而直接與間接腐蝕經(jīng)濟(jì)損失共計(jì) 6010 萬元，占年生產(chǎn)總值的 7.25%。儀征化纖廠大修周期從 1 年改為 2 年，創(chuàng)凈利潤(rùn)（22 ～ 23）億 / 年。通常認(rèn)為間接腐蝕損失比直接腐蝕損失大。根據(jù)現(xiàn)有數(shù)據(jù)，石油工業(yè)的間接腐蝕損失是直接腐蝕損失的 3 倍。2000 年，上海集團(tuán)腐蝕損失是 8114 萬元；華東電網(wǎng)因鍋爐“四管”腐蝕爆漏導(dǎo)致非計(jì)劃停車 115 次，損失電量 29 億千瓦/小時(shí)，經(jīng)濟(jì)損失 7.7 億元。

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防腐蝕的測(cè)試從整體來講，需要進(jìn)行三個(gè)方面的系統(tǒng)化的測(cè)試。

一是零部件的測(cè)試，針對(duì)每一個(gè)零部件都要做單獨(dú)測(cè)試。，并針對(duì)不同階段的實(shí)際情況，對(duì)零部件的腐蝕性做相應(yīng)的防護(hù)措施；第二是系統(tǒng)測(cè)試，腐蝕設(shè)備面板加工價(jià)格，要確保各個(gè)子系統(tǒng)之間的融合連接，使之形成一個(gè)非常完整的整車；整車測(cè)試是后一個(gè)環(huán)節(jié)，也是重要的環(huán)節(jié)，它由幾個(gè)步驟組成。

首先它要符合防腐蝕和耐用方面的設(shè)計(jì)要求，其次是設(shè)計(jì)更加細(xì)致的標(biāo)準(zhǔn)，也就是說針對(duì)于中國(guó)的具體情況而量身打造一個(gè)測(cè)試場(chǎng)景。

除此之外，在試驗(yàn)周期上騰勢(shì)也不厭其煩地選擇了時(shí)長(zhǎng)長(zhǎng)、組合復(fù)雜的測(cè)試方案。它一共分為12個(gè)周，12個(gè)周里面再進(jìn)行12個(gè)循環(huán)。這十二個(gè)周不是簡(jiǎn)單的循環(huán)，而是層層遞進(jìn)的關(guān)系，例如一次循環(huán)后悔暫停測(cè)試，根據(jù)上一個(gè)防腐蝕的測(cè)試結(jié)果去檢驗(yàn)是不是存在腐蝕風(fēng)險(xiǎn)并進(jìn)行調(diào)整。其終的目的就是讓每一個(gè)騰勢(shì)汽車都能在每一個(gè)環(huán)節(jié)的終設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)和相應(yīng)的規(guī)格下達(dá)標(biāo)。

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本實(shí)用新型涉及干法刻蝕技術(shù)，特別涉及一種干法刻蝕設(shè)備。

技術(shù)背景 圖I為現(xiàn)有干法刻蝕設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖I所示，干法刻蝕設(shè)備包括反應(yīng)腔(Chamber) 5，設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5上的墊板4、以及設(shè)置于反應(yīng)腔(Chamber) 5中的擋光板I?，F(xiàn)有的干法刻蝕設(shè)備在對(duì)玻璃(Glass)基板進(jìn)行刻蝕的工藝中，由于設(shè)備的上部電極結(jié)構(gòu)復(fù)雜以及設(shè)備老化等原因，經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)墊板4斷裂以及其他零部件損壞而導(dǎo)致反應(yīng)腔(Chamber) 5真空泄露(Leak)的現(xiàn)象，由此，大氣會(huì)進(jìn)入反應(yīng)腔(Chamber) 5內(nèi)部，大氣中的氮?dú)獾扰c反應(yīng)腔(Chamber) 5內(nèi)的氣體混合，混合后氣體顏色會(huì)由藍(lán)色變成紅色或黃色，出現(xiàn)顏色異?！，F(xiàn)有結(jié)構(gòu)無法對(duì)等離子體(Plasma)顏色進(jìn)行監(jiān)控，導(dǎo)致在后工序才能發(fā)現(xiàn)，這會(huì)嚴(yán)重影響良品率。

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在集成電路制造工藝中，腐蝕設(shè)備面板加工，刻蝕是用化學(xué)或物理方法有選擇地從硅表面去除不需要的材料，在硅片上所需圖形的后圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。干法蝕刻和濕法蝕刻是半導(dǎo)體制造中兩種基本的刻蝕工藝。干法蝕刻各向異性可以實(shí)現(xiàn)細(xì)微圖形的轉(zhuǎn)換，滿足越來越小的尺寸要求，已成為亞微米及以下尺寸主要的蝕刻方式。在實(shí)際生產(chǎn)中，公司追求產(chǎn)能和良率。就二氧化硅的干法蝕刻而言，需要優(yōu)化諸如蝕刻速率、均勻性、選擇比等蝕刻參數(shù)。因在蝕刻過程中，刻蝕的理想條件經(jīng)常漂移，工藝工程師不僅需設(shè)定優(yōu)化蝕刻效果的蝕刻菜單，還需在理想條件漂移時(shí)及時(shí)做出調(diào)整。本文選取了影響蝕刻效果的主要工藝參數(shù)，如射頻、壓力、蝕刻氣體等做正交試驗(yàn)，確定其具體的影響程度，為參數(shù)設(shè)置和調(diào)節(jié)提供依據(jù)。

腐蝕設(shè)備面板加工-茂美加工廠歡迎致電由廣州市番禺區(qū)橋南茂美工藝品加工廠提供。廣州市番禺區(qū)橋南茂美工藝品加工廠（www.gzmaomei.cn）擁有很好的服務(wù)與產(chǎn)品，不斷地受到新老用戶及業(yè)內(nèi)人士的肯定和信任。我們公司是商盟認(rèn)證會(huì)員，點(diǎn)擊頁(yè)面的商盟客服圖標(biāo)，可以直接與我們客服人員對(duì)話，愿我們今后的合作愉快！