等離子刻蝕工藝

等離子體刻蝕分為兩個過程：首先，等離子體中產(chǎn)生化學活性組分；其次，這些活性組分與固體材料發(fā)生反應，形成揮發(fā)性化合物，從表面擴散排走。例如，感應耦合等離子體刻蝕機廠家，CF4離解產(chǎn)生的F，與S反應生成SiF4氣體，結果是在含Si材料的表面形成了微觀銑削結構。等離子體刻蝕是一個通用術語，包括離子刻蝕、濺射刻蝕以及等離子體灰化等過程。

基底和工藝參數(shù)決定了表面改性的類型，基底溫度、處理時間和材料擴散特性決定了改性深度。等離子體僅能在表面刻蝕幾個微米的深度，改性后的表面特性發(fā)生了改變，江蘇感應耦合等離子體刻蝕機，但大部分材料的特性仍能得以保持。這項技術還可以用于表面清洗、固話、粗化、改變親水性及粘結性等，同樣也可以使電子顯微鏡下觀察的樣品變薄以及應用于半導體集成電路的制造過程中。在化學濺射中會發(fā)生反應并產(chǎn)生揮發(fā)性產(chǎn)物。常用的氣體包括Ar、He、O2、H2、H2O、CO2、Cl2、F2和有機蒸氣等。與存在化學反應的等離子體濺射相比，感應耦合等離子體刻蝕機安裝，惰性離子濺射更像是一個物理過程。

想要了解更多感應耦合等離子體刻蝕的相關內(nèi)容，感應耦合等離子體刻蝕機生產(chǎn)廠家，請及時關注創(chuàng)世威納網(wǎng)站。

等離子刻蝕工藝

高密度等離子體源在刻蝕工藝上具有許多優(yōu)勢，例如，可以更準確地控制工作尺寸，刻蝕速率更高，更好的材料選擇性。高密度等離子體源可以在低壓下工作，從而減弱鞘層振蕩現(xiàn)象。使用高密度等離子體源刻蝕晶片時，為了使能量和離子通量彼此獨立，需要采用獨立射頻源對晶圓施加偏壓。因為典型的離子能量在幾個電子伏特量級，在離子進入負鞘層后，其能量經(jīng)加速將達到上百電子伏特，并具有高度指向性，從而賦予離子刻蝕的各向異性。

如需了解更多感應耦合等離子體刻蝕的相關內(nèi)容，歡迎撥打圖片上的熱線電話！

感應耦合等離子體刻蝕的原理

以下是創(chuàng)世威納為您一起分享的內(nèi)容，創(chuàng)世威納**生產(chǎn)感應耦合等離子體刻蝕，歡迎新老客戶蒞臨。

感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

江蘇感應耦合等離子體刻蝕機-創(chuàng)世威納由北京創(chuàng)世威納科技有限公司提供。北京創(chuàng)世威納科技有限公司（www.weinaworld.com.cn）有實力，信譽好，在北京 昌平區(qū) 的電子、電工產(chǎn)品制造設備等行業(yè)積累了大批忠誠的客戶。公司精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念將促進創(chuàng)世威納和您攜手步入**，共創(chuàng)美好未來！