產(chǎn)品特點

1.激光蝕刻為干式蝕刻，加工制程簡單，所有加工均由軟件自動控制，產(chǎn)品一致性高，良率高達99%，無耗材，環(huán)保，可靠穩(wěn)定。

2.CCD相機自動定位，加工精度高。

3.設備操作簡單，圖檔更新方便，制程縮短，稼動率高。

4.設備控制軟件能夠實現(xiàn)自動圖檔分割，移動拼接加工，拼接精度可達±3μm

5.耗電量省，電力牌蝕刻機價格，操作人員少，無污染，生產(chǎn)成本低。

　刻蝕機和光刻機的區(qū)別：光刻機把圖案印上去，然后刻蝕機根據(jù)印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩余的部分?？涛g相對光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機的作用相當于木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機的作用相當于木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機和光刻機性質(zhì)一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細活，一般到毫米就行。做芯片用的刻蝕機和光刻機，要到納米?，F(xiàn)在的手機芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺積電的10納米技術。10納米有多小呢？打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭發(fā)絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米。現(xiàn)在先進的光刻機是荷蘭的ASML公司，到10納米。臺積電買的都是它的光刻機。ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術合作的結果。因為這方面的研究難度太大，單個國家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在光刻機上努力研發(fā)。

因此，蝕刻部位的金屬不斷地溶解并在金屬的表面留下當量電子，電力牌蝕刻機機械設備，其反應式

如下：

式中 M-蝕刻金屬的原子；

ne—溶解金屬留下的當量電子數(shù)；

M ne—失去ne個電子的金屬離子，未水合化；

M ne.xH20—進入電解液的金屬水合離子。

陰極上的反應是電解溶液中的還原性物質(zhì)如氫離子、氧分子或金屬正離子等在陰極上得到電子，還原成氫氣析出或生成氫氧根負離子或金屬沉積物附著在陰極上，因此陰極反應是各種還原反應的結果。其電極反應如下：2H 2e→H2↑2H20 02 4e→40H-M ne ne→M↓

從上可以看到，電解蝕刻主要是利用電流加快蝕刻部位金屬的溶解，而不是化學蝕刻那樣要加入各種添加劑，煙臺電力牌蝕刻機，特別是催速劑。在某種條件下還可能一面將蝕刻的金屬溶解，電力牌蝕刻機廠家，另一方面又能將溶解的金屬在陰極上沉積而回收。從示意圖6—7上可以看到電解蝕刻需要有專用的電解設備、電源系統(tǒng)及配電設施，在實際操作時，還要有掛具和裝卸作業(yè)等。

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