*靶材尺寸

金、銀、鉑、鈀濺射靶材通過熔煉提純、澆鑄成錠，鍛造軋制和精密機(jī)加工制造而成。純度均可達(dá)到99.99%，主要應(yīng)用于電子半導(dǎo)體、太陽(yáng)能光伏、平面顯示、磁學(xué)等行業(yè)。

釕、銠、銥濺射靶材采用高純金屬粉末為原料，通過粉末冶金鑄錠，并精密機(jī)加工成靶，生產(chǎn)銷售高純鉑靶材 鉑粉 鉑絲，產(chǎn)品純度可達(dá)99.95%。主要應(yīng)用于電子半導(dǎo)體、磁學(xué)等行業(yè)。

常規(guī)靶材有：

高純金 靶材 99.99%φ50.8mm， φ60mm， φ101.6mm

高純銀 靶材 99.99%φ50.8mm， φ60mm， φ101.6mm

高純鉑 靶材 99.99%φ50.8mm，現(xiàn)貨定制高純鉑片 鉑顆粒， φ60mm， φ101.6mm

高純鈀 靶材 99.99%φ50.8mm， φ60mm，  φ101.6mm

高純釕 靶材 99.95%φ50.8mm， φ60mm， φ101.6mm

高純銠 靶材 99.95%φ50.8mm， φ60mm，高純鉑，  φ101.6mm

高純銥 靶材 99.95%φ50.8mm， φ60mm，  φ101.6mm

常規(guī)厚度1-6mm

可定制加工的圓靶方靶，可提供靶材綁定服務(wù)。

高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。在單晶硅中摻入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半導(dǎo)體;摻入微量的第VA族元素，形成n型半導(dǎo)體。p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體結(jié)合在一起形成p-n結(jié)，就可做成太陽(yáng)能電池，高純鉑靶材 鉑棒 鉑片 鉑絲，將輻射能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔堋Ｔ陂_發(fā)能源方面是一種很有前途的材料。另外廣泛應(yīng)用的二極管、三極管、晶閘管、場(chǎng)效應(yīng)管和各種集成電路(包括人們計(jì)算機(jī)內(nèi)的芯片和CPU)都是用硅做的原材料。

高純金屬材料是指化學(xué)純度高、雜質(zhì)含量少、與常規(guī)金屬相比具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能的新材料，被認(rèn)為是現(xiàn)代高新技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)，是衡量一個(gè)國(guó)家或地區(qū)高新技術(shù)發(fā)展水平的重要指標(biāo)。由于高純材料具有優(yōu)異的物化性能，在半導(dǎo)體、光電學(xué)、電子信息、航天軍等領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

中諾新材**生產(chǎn)加工高純金屬靶材，粉末，顆粒等，并可根據(jù)您的需求提供**的定制服務(wù)。

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