在濕法清洗工藝路線下，目前主流的清洗設(shè)備主要包括單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、組合式清洗設(shè)備和批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備等，半導(dǎo)體氧化設(shè)備供應(yīng)商，其中單片清洗設(shè)備市場份額占比高。濕法清洗工藝路線下主流的清洗設(shè)備存在程度的區(qū)分，主要體現(xiàn)在可清洗顆粒大小、金屬污染、腐蝕均一性以及干燥技術(shù)等標(biāo)準(zhǔn)。目前至純科技主要生產(chǎn)濕法清洗設(shè)備，提供槽式設(shè)備（槽數(shù)量按需配置）及單片機(jī)設(shè)備（8-12 反應(yīng)腔），均可以覆蓋 8-12 寸晶圓制造的濕法工藝設(shè)備。

為什么零部件需要去除油污:減少部件表面上的離子雜質(zhì)。滿足容器排氣（outgassing)性能的測試 (由第三方實(shí)驗(yàn)室檢測).此測試檢測出了在真空下嵌入金屬表面的有機(jī)材料的數(shù)量和成分。如果測試中的數(shù)量太大，半導(dǎo)體氧化設(shè)備，則意味著終的加工設(shè)備很難將容器真空至全真空狀態(tài)。815 GD 在這些測試中都有的表現(xiàn)， 主要表現(xiàn)為的清潔能力以及測試中未發(fā)現(xiàn)清洗劑的殘留。

隨著半導(dǎo)體芯片工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入 28 納米、14 納米等更等級(jí)，半導(dǎo)體設(shè)備，工藝流程的延長且越趨復(fù)雜，產(chǎn)線成品率也會(huì)隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個(gè)原因就是制程對(duì)雜質(zhì)的敏感度更高，小尺寸污染物的清洗更困難。解決的方法主要是增加清洗步驟。每個(gè)晶片在整個(gè)制造過程中需要甚至超過 200 道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性。

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