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LED芯片組成及發(fā)光
LED晶片的組成:主要有申(AS)鋁(AL)家(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成。
LED晶片的分類:
1、按發(fā)光亮度分:
A、一般亮度:R、H、G、Y、E等
B、高亮度:VG、VY、SR等
C、超高亮度:UG、UY、UR、UYS、URF、UE等
D、不可見光(紅外線):R、SIR、VIR、HIR
E、紅外線接收管:PT
F、光電管:PD
2、按組成元素分:
A、二元晶片(磷、家):H、G等
B、三元晶片(磷、家、申):SR、HR、UR等
C、四元晶片(磷、鋁、家、銦):SRF、HRF、URF、VY、HY、UY、UYS、UE、HE、UG
LED外延片是一塊加熱至適當溫度的襯底基片,材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料,需要不同的LED外延片生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù),襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。
LED外延片生長的基本原理是:在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、SiC、Si)上,氣態(tài)物質(zhì)InGaAlP有控制的輸送到襯底表面,生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術(shù)主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。
LED外延片襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料,需要不同的LED外延片生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù),襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。
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