肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。由于電子遷移率比空穴高，采用N型Si、SiC或GaAs為材料，以獲得良好的頻率特性，肖特基接觸金屬一般選用金、鉬、鎳、鋁等。金屬-半導(dǎo)體器件和PiN結(jié)二極管類似，由于兩者費米能級不同，金屬與半導(dǎo)體材料交界處要形成空間電荷區(qū)和自建電場。在外加電壓為零時，載流子的擴散運動與反向的漂移運動達(dá)到動態(tài)平衡，這時金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體交界處形成一個接觸勢壘，這就是肖特基勢壘。肖特基二極管就是依據(jù)此原理制作而成。[2]碳化硅肖特基二極管肖特基接觸金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同，電荷越過金屬/半導(dǎo)體界面遷移，產(chǎn)生界面電場，半導(dǎo)體表面的能帶發(fā)生彎曲，從而形成肖特基勢壘，這就是肖特基接觸。金屬與半導(dǎo)體接觸形成的整流特性有兩種形式，一種是金屬與N型半導(dǎo)體接觸，且N型半導(dǎo)體的功函數(shù)小于金屬的功函數(shù)；另一種是金屬與P型半導(dǎo)體接觸，且P型半導(dǎo)體的功函數(shù)大于金屬的功函數(shù)。金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體體內(nèi)含有大量的導(dǎo)電載流子。金屬與4H-SiC半導(dǎo)體材料的接觸有原子大小的數(shù)量級間距時，4H-SiC半導(dǎo)體的費米能級大于金屬的費米能級。常州市國潤電子有限公司是一家專業(yè)提供肖特基二極管 的公司，有想法的可以來電咨詢！四川肖特基二極管

這意味著在正向偏置時，能夠以較小的電壓驅(qū)動電流通過。這對于低功耗應(yīng)用和低壓電源設(shè)計非常有用。2.快速開關(guān)速度：由于肖特基二極管的結(jié)構(gòu)特殊，載流子的注入和收集速度更快，從而實現(xiàn)了更快的開關(guān)速度。這使得它在高頻電路和快速開關(guān)應(yīng)用中非常受歡迎。3.低逆向恢復(fù)時間：與普通二極管相比，肖特基二極管具有更短的逆向恢復(fù)時間。這意味著當(dāng)從正向偏置切換到逆向偏置時，能夠更快地阻止電流反向流動，從而減少了逆向恢復(fù)時的能量損耗。四川肖特基二極管常州市國潤電子有限公司為您提供肖特基二極管 ，歡迎新老客戶來電！

6.**太陽能電池**：作為太陽能電池組件的一部分，肖特基二極管可以幫助減少逆向漏電流，提高太陽能電池組件的工作效率?？傊?，肖特基二極管以其低正向電壓降、快速恢復(fù)時間、低反向漏電流等特性，在電子電路設(shè)計中具有廣泛的應(yīng)用前景，并且隨著技術(shù)的不斷進步，其在高效能量轉(zhuǎn)換和高頻電路方面的應(yīng)用將會不斷擴展和深化。當(dāng)然，肖特基二極管還有許多其他應(yīng)用方面值得探討，例如：7.**脈沖電路**：在需要精確控制脈沖寬度或頻率的電路中，肖特基二極管常常被用來作為開關(guān)元件，用以產(chǎn)生高速脈沖或控制脈沖的延遲時

穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時，反向電流驟然增大，稱為擊穿，在這一臨界擊穿點上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近，從而實現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的。常州市國潤電子有限公司是一家專業(yè)提供肖特基二極管 的公司，歡迎新老客戶來電！

隨著科技的不斷發(fā)展，人們對肖特基二極管的應(yīng)用也將會不斷拓展，為各種領(lǐng)域的電子設(shè)備和系統(tǒng)帶來更多新的可能性。肖特基二極管的素材是由特殊的材料構(gòu)成的。傳統(tǒng)的二極管使用的是硅（Silicon）或者鍺（Germanium）材料，而肖特基二極管使用的是金屬與半導(dǎo)體材料的復(fù)合（metal-SemiconductorCompound）。在肖特基二極管中，金屬是一種高導(dǎo)電性的材料，例如鋁（Aluminum）或者銅（Copper）。金屬與半導(dǎo)體之間有一個形成肖特基勢壘的接觸面。常州市國潤電子有限公司力于提供肖特基二極管 ，有需求可以來電咨詢！四川肖特基二極管

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滿足國民經(jīng)濟和建設(shè)的需要，目前，美國、德國、瑞典、日本等發(fā)達(dá)國家正競相投入巨資對碳化硅材料和器件進行研究。美國部從20世紀(jì)90年代就開始支持碳化硅功率器件的研究，在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場化的碳化硅電力電子器件。美國Semisouth公司研制的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作）已經(jīng)用在美國空軍多電飛機。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓、強輻射等惡劣條件下使用。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系列產(chǎn)品，其額定電流可達(dá)到20A。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到高壓器件的水平，其阻斷電壓超過10000V，大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A的水平。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高，開關(guān)速度很快，重量很輕，并且體積很小，它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢。2000年Cree公司研制出KV的臺面PiN二極管，同一時期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺面PiN二極管。2005年Cree公司報道了10KV、V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達(dá)到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低，工作頻率很高。四川肖特基二極管