LED的電壓在2-9v不等，功率也有較寬的范圍，具體選用哪種LED還要看這個模組作為一個產品來說的技術要求。比如這個LED模組需要輸出10lm的光，外觀上看用兩顆LED比較好，就可以選擇5lm一顆的LED。結合顏色（LED電壓與顏色有關）、溫度、品質等其他因素，就可以找到一款合適產品的LED。LED模組可以分為直插式LED模組，食人魚LED模組，貼片LED模組。

   國家對ＬＥＤ產業(yè)的發(fā)展也給予了大力支持。２００６年，根據(jù)我國半導體照明產業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀，有關部門制定半導體照明產業(yè)發(fā)展計劃和２００６年技術發(fā)展路線圖提出，對于ＬＥＤ芯片的投資將占ＬＥＤ產業(yè)投資的２０％，led芯片批發(fā)，研究重點將放在ＧａＮ芯片的生產以及功率芯片的研發(fā)上。

   雖然擁有極大的市場需求并得到有關部門的大力支持，但不可否認的是，現(xiàn)階段ＬＥＤ芯片產業(yè)仍然存在技術缺乏、人才短缺、產品質量不高、設備自主生產能力弱等發(fā)展困境。如何解決上述問題是我國ＬＥＤ產業(yè)能否持續(xù)健康快速發(fā)展的關鍵。

   王瑩認為，ＬＥＤ芯片產業(yè)的快速發(fā)展將助推ＬＥＤ產業(yè)整體升級。在ＬＥＤ芯片產業(yè)的發(fā)展過程中，早期產品主要以普通亮度芯片為主，生產廠商也只有南昌欣磊等少數(shù)幾家。２００３年以后，led芯片廠家，以廈門三安、大連路美為代表的芯片生產企業(yè)針對芯片市場的需求，紛紛把產品重點集中到高亮度芯片上，直接帶動了高亮度芯片產量的快速增長。一時間，國內掀起了ＬＥＤ芯片產業(yè)發(fā)展的熱潮，高亮度芯片成為ＬＥＤ芯片產業(yè)發(fā)展的主要推動力。２００６年，我國ＬＥＤ芯片產量達到３０９．３億個，產值達到１１．９億元。

   隨著ＬＥＤ芯片生產企業(yè)的不斷增多，ＬＥＤ芯片產值的增長速度一直高于封裝環(huán)節(jié)，led芯片多少錢，導致芯片產值在我國ＬＥＤ產業(yè)產值中所占比重不斷提升，由２００２年的５．４％上升至２００６年的１１．３％。由此可見，我國ＬＥＤ產業(yè)正在由低端走向，向附加值更高、更具價值的芯片環(huán)節(jié)邁進。

   據(jù)王瑩預測，led芯片，２００８年高亮度芯片產量將超過普通亮度芯片，ＬＥＤ芯片產業(yè)進入高亮度時代。在很長一段時間內，企業(yè)將會把投資重點放在高亮度芯片的生產上?！　?br />

外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石和、SiC、Si)上，氣態(tài)物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。

目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。

MOCVD介紹：

金屬有機物化學氣相淀積(metal-Organic Chemical Vapor Depoisition，簡稱 MOCVD)， 1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術。

該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖i端光電子設備，主要用于GaN(氮化家)系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)蕞有發(fā)展前途的設備之一。

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