在冶煉碳化硅時(shí)，之所以會(huì)出現(xiàn)粗細(xì)不均勾，主要在于爐心裝置不均勻，例如尺寸不均、加壓不均、有大塊雜物等。另外，爐心下部料密度過(guò)低，造成爐心下沉多，易發(fā)生下沉不均現(xiàn)象；爐心上部料高度不均造成對(duì)，爐心的壓力不均等都會(huì)引起結(jié)晶筒的粗細(xì)不均勾。采用小爐心時(shí)，硅碳球批發(fā)，這一現(xiàn)象更易發(fā)生。

   爐心截面小的地方電阻大，商丘硅碳球，電流通過(guò)時(shí)產(chǎn)生熱量多，爐溫較高，sic分解層增厚，爐心擴(kuò)大的結(jié)果使?fàn)t阻減小的速度較快。反之爐心截面大的地方，由于sic分解而造成的爐心擴(kuò)大就比較慢。這樣就自動(dòng)縮小了爐心截面積之間的差距。但是這種自動(dòng)調(diào)節(jié)作用也有一定的限度。

1、高純的單晶硅是重要的半導(dǎo)體材料。

2、金屬陶瓷、宇宙航行的重要材料。

3、光導(dǎo)纖維通信，新的現(xiàn)代通信手段。

4、由于有機(jī)硅的結(jié)構(gòu)，兼?zhèn)淞藷o(wú)機(jī)材料與有機(jī)材料的性能，具有表面張力低、粘溫系數(shù)小、壓縮性高、氣體滲透性高等基本性質(zhì)，并具有耐高低溫、電氣絕緣、耐氧化穩(wěn)定性、耐候性、難燃、憎水、耐腐蝕、無(wú)毒無(wú)味以及生理惰性等優(yōu)異特性，

硅元素，原子序數(shù)14，原子量28.0855， 硅有晶態(tài)和無(wú)定形兩種形式。晶態(tài)硅具有金剛石晶格，硅碳球現(xiàn)貨供應(yīng)，硬而脆，熔點(diǎn)1410°C，沸點(diǎn)2355°C，密度2.32～2.34克/厘米3，硬度為7。無(wú)定形硅是一種灰黑色粉末，實(shí)際是微晶體。晶態(tài)硅的電導(dǎo)率不及金屬，且隨溫度升高而增加，具有明顯的半導(dǎo)體性質(zhì)。本廠技術(shù)力量，檢測(cè)手段齊全，具有完善的科學(xué)管理及體系
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