微弧氧化電流密度的選定還必須與其他工藝條件和性能要求相結(jié)合。這些工藝條件包括電解液組成和溫度、基材成分、電源模式等。微弧氧化突破傳統(tǒng)陽極氧化的限制，利用電極間施加很高的電壓使浸在電解液中的電極表面發(fā)生微弧放電現(xiàn)象，輕金屬微弧氧化廠家，電壓的高低是影響微弧氧化的主要因素之一。實驗表明，不同的溶液有不同的電壓工作范圍，如果電壓過低，陶瓷層生長速度較小，陶瓷層較薄，顏色較淺，硬度也較低;工作電壓過高，輕金屬微弧氧化，工件易出現(xiàn)燒蝕現(xiàn)象，生成的陶瓷層致密性較差，厚度不鈞勻。

影響微弧氧化的因素

1、微弧氧化時間的影響：微弧氧化時間一般控制在10～60min。氧化時間越長，膜的致密性越好，輕金屬微弧氧化多少錢，但其粗糙度也增加。

2、陰極材料：微弧氧化的陰極材料采用不溶性金屬材料。由于微弧氧化電解液多為堿性液，故陰極材料可采用碳鋼，不銹鋼或鎳。其方式可采用懸掛或以上述材料制作的電解槽作為陰極。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

       微弧氧化產(chǎn)生的高溫高壓特性可使鋁合金表面氧化膜發(fā)生相轉(zhuǎn)變和結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變。在微弧氧化的過程下，輕金屬微弧氧化技術(shù)，原來生產(chǎn)的氧化膜不會脫落，只有表面一部分氧化膜可能會被粉化而沉淀在溶液中，脫落的表面可以繼續(xù)氧化，隨著外加電壓的升高，或時間的延長，微弧氧化膜厚度會不斷增加，直至達(dá)到外加電壓所對應(yīng)的厚度。經(jīng)測試，微弧氧化膜的厚度可達(dá)到200-300μm。微弧氧化技術(shù)優(yōu)勢、微弧氧化設(shè)備、微弧氧化電源

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