實(shí)驗(yàn)表明，測(cè)量時(shí)不斷刮磨金屬表面，則金屬的電勢(shì)劇烈向負(fù)方向移動(dòng)，也就是修整金屬表面可引起處在鈍態(tài)金屬的活化。即證明鈍化現(xiàn)象是一種界面現(xiàn)象。它是在一定條件下，鋁鈍化報(bào)價(jià)，金屬與介質(zhì)相互接觸的界面上發(fā)生變化的。電化學(xué)鈍化是陽(yáng)極極化時(shí)，金屬的電位發(fā)生變化而在電極表面上形成金屬氧化物或鹽類。

如采用某種能夠溶解金屬而與氧化膜不起作用的試劑，小心地溶解除去膜下的金屬，就可分離出能看見的鈍化膜，鋁鈍化哪家好，鈍化膜是怎樣形成的？當(dāng)金屬陽(yáng)極溶解時(shí)，其周圍附近的溶液層成分發(fā)生了變化。一方面，鋁鈍化哪里有，溶解下來的金屬離子因擴(kuò)散速度不夠快（溶解速度快）而有所積累。

在氧化層中大部分的電荷效應(yīng)是直接或間接地同熱氧化的工藝過程有關(guān)的。在800—1250~C的溫度范圍內(nèi)，用干氧、濕氧或水汽進(jìn)行的熱氧化過程有三個(gè)持續(xù)的階段，首先是環(huán)境氣氛中的氧進(jìn)入到已生成的氧化層中，無錫鋁鈍化，然后氧通過二氧化硅向內(nèi)部擴(kuò)散，當(dāng)它到達(dá)Si02-Si界面時(shí)就同硅發(fā)生反應(yīng)，形成新的二氧化硅。這樣不斷發(fā)生著氧的進(jìn)入—擴(kuò)散—反應(yīng)過程，使靠近界面的硅不斷轉(zhuǎn)化為二氧化硅，氧化層就以一定的速率向硅片內(nèi)部生長(zhǎng)。

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