多個(gè)直流母線電容一側(cè)設(shè)置在鈑金固定板上。所述的疊層母排包括正疊層銅排13和負(fù)疊層銅排14，正疊層銅排和負(fù)疊層銅排之間設(shè)置有第二絕緣層15。所述的直流母線電容組件另一側(cè)面與疊層母排的正疊層銅排并聯(lián)連接，直流母線電容組件通過疊層母排設(shè)置在一絕緣層的兩側(cè)。直流母線電容組件通過箱體風(fēng)道散熱所述的IGBT功率組件包括IGBT驅(qū)動(dòng)板16和多個(gè)IGBT元件17，多個(gè)IGBT元件通過IGBT驅(qū)動(dòng)板設(shè)置在液冷換熱器的兩側(cè)。所述的鈑金隔板底面形成有兩個(gè)連接口18，液冷換熱器設(shè)置在兩個(gè)連接口之間的鈑金隔板上，液冷換熱器兩側(cè)緊鄰設(shè)置的IGBT功率組件分別與兩個(gè)連接口相對(duì)應(yīng)，液冷換熱器給IGBT功率組件散熱。液冷換熱器上方為一絕緣層，且直流母線電容組件通過鈑金固定板設(shè)置在鈑金隔板兩側(cè)，直流母線電容組件與IGBT功率組件的位置上下相對(duì)應(yīng)，疊層母排分別與直流母線電容組件和IGBT功率組件的輸入端并聯(lián)連接。所述的鈑金隔板下方設(shè)置有箱體底座10，箱體底座上設(shè)置的交流輸出銅排與IGBT功率組件的輸出端并聯(lián)連接。如圖5所示，所述的交流輸出銅排包括設(shè)置在一端的多個(gè)匯流爪19、與匯流爪連接的銅排20以及垂直設(shè)置在另一端的絕緣固定塊21，交流輸出銅排的一端穿過鈑金隔板上的連接口。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng)，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。浙江貿(mào)易Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷

    滑環(huán)12的底部固定連接有與傳動(dòng)桿10配合使用的移動(dòng)框13，移動(dòng)框13位于圓盤9的前側(cè)，傳動(dòng)桿10的前端延伸至移動(dòng)框13的內(nèi)部，傳動(dòng)桿10的表面與移動(dòng)框13的內(nèi)壁接觸，移動(dòng)框13的底部固定連接有導(dǎo)向桿19，容納槽2內(nèi)壁的底部開設(shè)有導(dǎo)向槽20，導(dǎo)向桿19與導(dǎo)向槽20滑動(dòng)連接，通過設(shè)置導(dǎo)向桿19和導(dǎo)向槽20，能夠增加移動(dòng)框13移動(dòng)的穩(wěn)定性，防止移動(dòng)框13移動(dòng)時(shí)傾斜，滑環(huán)12的頂部固定連接有移動(dòng)板14，移動(dòng)板14的頂部貫穿至底座1的外部，移動(dòng)板14內(nèi)側(cè)的頂部固定連接有卡桿15，底座1的頂部設(shè)置有igbt功率模塊本體16，igbt功率模塊本體16底部的兩側(cè)均固定連接有橡膠墊21，橡膠墊21的底部與底座1的頂部接觸，通過設(shè)置橡膠墊21，能夠增加igbt功率模塊本體16與底座1的摩擦力，防止igbt功率模塊本體16在底座1的頂部非正常移動(dòng)，igbt功率模塊本體16兩側(cè)的底部均開設(shè)有卡槽17，卡桿15遠(yuǎn)離移動(dòng)板14的一端延伸至卡槽17的內(nèi)部，通過設(shè)置底座1、容納槽2、一軸承3、蝸桿4、轉(zhuǎn)盤5、第二軸承6、轉(zhuǎn)軸7、蝸輪8、圓盤9、傳動(dòng)桿10、滑桿11、滑環(huán)12、移動(dòng)框13、移動(dòng)板14、卡桿15、igbt功率模塊本體16和卡槽17的配合使用，解決了現(xiàn)有igbt功率模塊的安裝機(jī)構(gòu)操作時(shí)繁瑣，不方便使用者安裝igbt功率模塊的問題。廣東品質(zhì)Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷過流、短路、過熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況，應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作。

    由于鉛會(huì)破壞人類神經(jīng)系統(tǒng)以及妨礙胎兒發(fā)育，故目前世界各國(guó)正努力尋找無(wú)鉛接合材料。然而，無(wú)鉛焊錫主要成份為錫銀銅合金，該合金在高溫環(huán)境下易形成介金屬化合物(cu6sn5與cu3sn)，一旦此介金屬化合物形成后，接點(diǎn)在高溫下(＞150℃)的機(jī)械強(qiáng)度則降為原來的三分之一，且在長(zhǎng)時(shí)間的熱循環(huán)下容易形成孔洞，使得接合強(qiáng)度更為脆弱。再者，當(dāng)孔洞形成后，增加高功率模塊內(nèi)部散熱鰭片與功率集成電路(integratedcircuit,ic)組件的接口熱阻，導(dǎo)致散熱不易，終使得高功率模塊熱失效。故，一般無(wú)法符合使用者于實(shí)際使用時(shí)所需。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的主要目的在于，克服已知技術(shù)所遭遇的上述問題，并提供一種使用的熱接口材料在完成熱處理后含少量有機(jī)物(＜1％)，且99％以上為純銀，故長(zhǎng)時(shí)間使用下將無(wú)有機(jī)揮發(fā)物(volatileorganiccompounds,voc)的產(chǎn)生，且在高溫下(＜800℃)相當(dāng)穩(wěn)定，不會(huì)產(chǎn)生任何介金屬化合物，從而不會(huì)有因制程(環(huán)境)溫度而脆化的問題的高功率模塊的制備方法。本發(fā)明的次要目的在于，提供一種使用的熱接口材料為純銀，以高純度銀做異質(zhì)界面接合用材料，其導(dǎo)熱系數(shù)為錫銀銅合金(無(wú)鉛焊錫)的兩倍以上，將可取代錫銀銅合金及鉛錫與銀鉛錫合金。

    是由重量感測(cè)組件、電容及電阻建構(gòu)而成的自動(dòng)回饋控制系統(tǒng)。該非接觸式探針點(diǎn)膠設(shè)備1目的為，當(dāng)該探針14前端的銀基奈米漿料碰觸到該散熱基板2的瞬間，該組傳感器15量測(cè)電容(電阻)即會(huì)改變，此時(shí)設(shè)備1可自動(dòng)停止下針，達(dá)到避免傳統(tǒng)接觸式點(diǎn)膠技術(shù)因散熱基板表面高低差過大而破壞基板的情形發(fā)生，如圖3所示。步驟s102：將涂布于該散熱基板上的銀基奈米漿料加溫至55～85℃，持溫5～10分鐘。步驟s103：將一ic芯片放置于該散熱基板的銀基奈米漿料上方，形成一組合對(duì)象。步驟s104：利用一熱壓機(jī)對(duì)該組合對(duì)象進(jìn)行加壓與加熱的熱壓接合制程，燒結(jié)該銀基奈米漿料，以形成該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層，其中該熱壓機(jī)的工作參數(shù)如下：加壓壓力為1～10mpa，加熱到210～300℃，并維持上述壓力與溫度30～120分鐘，再冷卻至室溫。若不對(duì)該組合對(duì)象加壓，則將該組合對(duì)象加熱至210～300℃，并保溫在上述溫度30～120分鐘后再冷卻至室溫。如是，藉由上述揭露流程構(gòu)成一全新的高功率模塊的制備方法。上述熱壓接合制程后，該ic芯片與該散熱基板的熱接口材料層90％以上成分為銀，孔隙率小于15％，且厚度為～10μm，如圖4所示。若未對(duì)該組合對(duì)象加壓而加熱燒結(jié)后。門極驅(qū)動(dòng)電路，輸出故障信號(hào)。為避免發(fā)生過大的di/dt，大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。

    液冷換熱器設(shè)置在兩個(gè)連接口之間的鈑金隔板上，液冷換熱器兩側(cè)的IGBT功率組件分別與兩個(gè)連接口相對(duì)應(yīng)，直流母線電容組件通過鈑金固定板設(shè)置在鈑金隔板兩側(cè)。排和負(fù)疊層銅排之間設(shè)置有第二絕緣層。所述的IGBT功率組件包括IGBT驅(qū)動(dòng)板和多個(gè)IGBT元件，多個(gè)IGBT元件通過IGBT驅(qū)動(dòng)板設(shè)置在液冷換熱器上。所述的交流輸出銅排包括設(shè)置在一端的多個(gè)匯流爪、與匯流爪連接的銅排以及垂直設(shè)置在另一端的絕緣固定塊，交流輸出銅排的一端穿過鈑金隔板上的連接口，使每個(gè)匯流爪均與IGBT功率組件中的２個(gè)IGBT元件相連接，絕緣固定塊設(shè)置在箱體底座上。所述的匯流爪的底邊上形成有缺口，缺口兩側(cè)的匯流爪上形成有小孔，缺口上方的匯流爪上形成有與IGBT功率組件連接的大孔，銅排上形成有多個(gè)連接孔和凹槽，連接孔與匯流爪上的小孔相對(duì)應(yīng)連接，凹槽設(shè)置在連接孔中間并與匯流爪上的大孔相對(duì)應(yīng)。所述的箱體底座的側(cè)壁上形成有把。本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的交流輸出銅排提高多個(gè)IGBT并聯(lián)均流的效果，通過增加放電電阻增強(qiáng)拆裝IGBT功率模塊的安全性，系統(tǒng)結(jié)構(gòu)合理，制造成本低，使用可靠性強(qiáng)。附圖說明圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。響應(yīng)速度較快且穩(wěn)定性較高。廣東品質(zhì)Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷

因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。浙江貿(mào)易Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷

    因此，散熱器的設(shè)計(jì)務(wù)必有充足的裕量保證管芯結(jié)溫在額定值以內(nèi)，散熱器的平整度。0~+100um，，粗糙度lOum以下，IGBT工作時(shí)應(yīng)配有風(fēng)扇降溫。本系統(tǒng)軟件由主程序、波形發(fā)生程序、故障中斷管理程序及鍵盤掃描程序、顯示輸出等幾個(gè)程序構(gòu)成。主程序流程如圖8所示。圖8主程序流程圖5實(shí)驗(yàn)結(jié)果根據(jù)上述軟硬件設(shè)計(jì)方案，設(shè)計(jì)并制作了—個(gè)軟啟動(dòng)器，被控對(duì)象為30kw的感應(yīng)電機(jī)，其額定轉(zhuǎn)速為1400r/miIl，其負(fù)載電流波形如圖9所示。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，本裝置運(yùn)行良好，在達(dá)到額定頻率時(shí)能自動(dòng)叨換且切換擾動(dòng)小。圖9負(fù)載電流波形6結(jié)束語(yǔ)本文介紹了采用單片機(jī)與可控硅制作的一種新型軟啟動(dòng)器，變頻式限流啟動(dòng)使啟動(dòng)器的啟動(dòng)電流具有諧波小、啟動(dòng)轉(zhuǎn)矩大等優(yōu)點(diǎn)，并且還具有相序自動(dòng)跟蹤的功能，從而其零電流關(guān)斷電路地簡(jiǎn)化了裝置。實(shí)驗(yàn)證明，本裝置具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低以及靜動(dòng)態(tài)特性好等特點(diǎn)。浙江貿(mào)易Mitsubishi三菱IPM模塊工廠直銷