光電光譜分析選用的分析線，必需符合下列要求

直讀光譜分析時(shí)，一般都采用內(nèi)標(biāo)法。因內(nèi)標(biāo)法進(jìn)行分析時(shí)常采用多條分析線和一條內(nèi)標(biāo)線組成，常用試料中的基體元素為內(nèi)標(biāo)元素。組成的線對(duì)要求均稱，就是當(dāng)激發(fā)光源有波動(dòng)時(shí)，兩條線對(duì)的譜線強(qiáng)度雖有變化，但強(qiáng)度比或相對(duì)強(qiáng)度能保持不變。

如R表示強(qiáng)度比即        

R=I1/I0

I1為分析線的強(qiáng)度，Io為內(nèi)標(biāo)線強(qiáng)度，表明I1和Io同時(shí)變，而R則不受影響。R與含量C之間有線性關(guān)系。

在光電直讀光譜分析時(shí)，有很多分析通道，要安裝許多內(nèi)標(biāo)通道有困難，因此采用一個(gè)內(nèi)標(biāo)線。但有人認(rèn)為再要提高光電光譜分析的準(zhǔn)確度還得采用不同的內(nèi)標(biāo)線，這還有待于光電轉(zhuǎn)換元件的小型化來(lái)解決。

光電法時(shí)，有時(shí)還用內(nèi)標(biāo)線來(lái)控制曝光量，稱為自動(dòng)曝光，也就是樣品在曝光時(shí)，分析線和內(nèi)標(biāo)分別向各自積分電容充電，當(dāng)內(nèi)標(biāo)線的積分電容器充電達(dá)到某一預(yù)定的電壓時(shí)，自動(dòng)截止曝光。此時(shí)分析線的積分電容器充電達(dá)到的電壓即代表分析線的強(qiáng)度I，并且亦即代表分析線的強(qiáng)度比R(因?yàn)镽=I1/Io，而此時(shí)Io保持常數(shù))這個(gè)強(qiáng)度I或強(qiáng)度比R就由測(cè)光讀數(shù)所表示。

現(xiàn)在一般采用計(jì)時(shí)曝光法較為普遍。

直讀光譜儀

干擾效應(yīng)。    干擾效應(yīng)也稱基體效應(yīng)，又稱共存元素、第三元素或伴隨物效應(yīng)，指的是在樣品中除了分析物外所有其他成分的影響，在光譜分析中能引起譜線的強(qiáng)度變化，導(dǎo)致分析結(jié)果產(chǎn)生一些誤差，這種干擾效應(yīng)是光譜分析中需要高度重視的一個(gè)問(wèn)題。

分析試樣和標(biāo)樣影響。    在實(shí)際工作中，分析試樣和標(biāo)樣的冶煉過(guò)程和物理狀態(tài)存在一定的差異，所以導(dǎo)致校準(zhǔn)曲線經(jīng)常出現(xiàn)變化，一般情況下標(biāo)樣大多處于鍛造和軋制狀態(tài)，分析樣品大多處于澆鑄狀態(tài)，為有效防止試樣的冶金狀態(tài)變化影響檢測(cè)分析的結(jié)果，臺(tái)式直讀光譜儀價(jià)格，經(jīng)常使用的控制試樣要保證與分析試樣的冶金過(guò)程和物理狀態(tài)保持一致，對(duì)試樣的分析結(jié)果進(jìn)行準(zhǔn)確的控制。

直讀光譜儀

清洗激發(fā)臺(tái)的內(nèi)表面，主要是避免殘留內(nèi)壁的粉塵放電影響分析結(jié)果。通常每激發(fā)100—200次應(yīng)清理一次。電極與激發(fā)面之間的距離，必須按極距要求調(diào)整好，如果與激發(fā)面的距離太大，試樣不易激發(fā)，如果電極與激發(fā)面的距離太小，曝光時(shí)放電電流太大，以至于與儀器各參數(shù)不相匹配，使測(cè)定結(jié)果與實(shí)際結(jié)果之間有差異，影響測(cè)定的準(zhǔn)確性。因此必須將電極與激發(fā)面的距離調(diào)整準(zhǔn)確，清洗激發(fā)臺(tái)和電極后一定要重視這個(gè)問(wèn)題。

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