電容器在運(yùn)行過程中,如出現(xiàn)電容器內(nèi)部元件擊穿、電容器對外殼絕緣損壞、密封不佳和漏油、鼓肚和內(nèi)部游離、鼓肚和內(nèi)部游離、帶電荷合閘或是溫度過高、通風(fēng)不佳、運(yùn)行電壓過高、諧波分量過大、操作過電壓等情況,都有可能引起電容器損壞。為預(yù)防電容器事故,正常情況下,可根據(jù)每組相電容器通過的電流量的大小,按1.5倍～2倍,配以快速熔斷器,若電容被擊穿,則快速熔斷器會熔化而切斷電源,保護(hù)電容器不會繼續(xù)產(chǎn)生熱量;在補(bǔ)償柜上每相安裝電流表,保證每相電流相差不超過±5%,若發(fā)現(xiàn)不平衡,立即退出運(yùn)行,檢查電容器;監(jiān)視電容器的溫升情況;加強(qiáng)對電容器組的巡檢,避免出現(xiàn)電容器漏油、鼓肚現(xiàn)象,以防。

　　綜上所述,無功補(bǔ)償技術(shù)是提高電網(wǎng)供電能力、減少電壓損失和降低網(wǎng)損的一種有效措施。電力電容器具有無功補(bǔ)償原理簡單、安裝方便、投資小,有功損耗小,運(yùn)行維護(hù)簡便、等優(yōu)點(diǎn)。因此,在當(dāng)前,隨著電力負(fù)荷的增加,要想提高電網(wǎng)系統(tǒng)的利用率,通過采用補(bǔ)償電容器進(jìn)行合理的補(bǔ)償,是能夠提高供電質(zhì)量并取得明顯的經(jīng)濟(jì)效益的。

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這也是為什么許多線路板在高頻率器件VCC引腳處置放小電容的緣故之一（在vcc腳位上一般串聯(lián)一個(gè)去藕電容，那樣溝通交流份量就從這一電容接地裝置。）配備標(biāo)準(zhǔn)以下：開關(guān)電源鍵入端跨接線一個(gè)10～100uF的電解電容器，假如印制電路板的部位容許，選用100uF之上的電解電容器的抗干擾性實(shí)際效果會更好。為每一個(gè)集成電路芯片芯片配備一個(gè)0.01uF的瓷器電容器。如碰到印制電路板室內(nèi)空間小而放不進(jìn)時(shí)，可每4～10個(gè)芯片配備一個(gè)1～10uF鉭電解電容器，這類器件的高頻率特性阻抗尤其小，在500kHz～20MHz范疇內(nèi)特性阻抗低于1Ω，并且泄露電流不大（0.5uA下列）。針對噪音工作能力弱、關(guān)閉時(shí)電流量轉(zhuǎn)變大的器件和ROM、RAM等儲存型器件，應(yīng)在芯片的電源插頭（Vcc）和接地線（GND）間立即連接去耦電容。去耦電容的導(dǎo)線不可以太長，尤其是高頻率旁通電容不可以帶導(dǎo)線。

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純電容器回收電源電路中各量中間的關(guān)聯(lián)：電容容抗如果不考慮到電容器自身存有的泄漏電阻器危害，能夠 覺得電容器是一個(gè)純電容負(fù)荷。當(dāng)電容器兩邊接在交流電流上，在工作電壓由零升至?xí)r，對電容器電池充電，有一電流。在工作電壓由值減少至零時(shí)，電容器放電，有一放電電流量。如上圖所述所顯示。因?yàn)殡姵爻潆姾头烹娫陔娫措娐分挟a(chǎn)生了電流量。可是電容器儲存電荷的工作能力并并不是制的，積擁有電荷或堆滿了電荷時(shí)，就對電流計(jì)目前樣一種抵觸功效，這類抵觸功效稱之為電容電感，通稱容抗。用標(biāo)記Xc表明，企業(yè)是歐母。從試驗(yàn)獲知：電容器的電容C越大，頻率f越高，則其容抗Xc就越小。她們中間的關(guān)聯(lián)為：以上公式計(jì)算中：π=3.14·f：表明頻率，企業(yè)HZ（Hz）·C：表明電容容積，企業(yè)法（F）由上式由此可見：當(dāng)電容C一定時(shí)，容抗Xc與頻率正相關(guān)，即電容元器件具備通高頻率阻低頻特點(diǎn)。當(dāng)f=0時(shí)，XC=∞（無窮大）。即直流電源不過關(guān)電容器，可視作引路。

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