在氧化層中大部分的電荷效應(yīng)是直接或間接地同熱氧化的工藝過程有關(guān)的。在800—1250~C的溫度范圍內(nèi)，用干氧、濕氧或水汽進(jìn)行的熱氧化過程有三個(gè)持續(xù)的階段，首先是環(huán)境氣氛中的氧進(jìn)入到已生成的氧化層中，鈍化工藝，然后氧通過二氧化硅向內(nèi)部擴(kuò)散，當(dāng)它到達(dá)Si02-Si界面時(shí)就同硅發(fā)生反應(yīng)，形成新的二氧化硅。這樣不斷發(fā)生著氧的進(jìn)入—擴(kuò)散—反應(yīng)過程，使靠近界面的硅不斷轉(zhuǎn)化為二氧化硅，氧化層就以一定的速率向硅片內(nèi)部生長(zhǎng)。

吸附理論認(rèn)為，金屬表面并不需要形成固態(tài)產(chǎn)物膜才鈍化，而只要表面或部分表面形成一層氧或含氧粒子（如O2-或OH-）的吸附層也就足以引起鈍化了。這吸附層雖只有單分子層厚薄，鈍化劑，但由于氧在金屬表面上的吸附，鈍化，改變了金屬與溶液的界面結(jié)構(gòu)，使電極反應(yīng)的活化能升高，金屬表面反應(yīng)能力下降而鈍化。此理論主要實(shí)驗(yàn)依據(jù)是測(cè)量界面電容和使某些金屬鈍化所需電量。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，不需形成成相膜也可使一些金屬鈍化。

這些物質(zhì)緊密地覆蓋在金屬表面上成為鈍化膜而導(dǎo)致金屬鈍化，化學(xué)鈍化則是像濃HNO3等氧化劑直接對(duì)金屬的作用而在表面形成氧化膜，表面鈍化，或加入易鈍化的金屬如Cr、Ni等而引起的?；瘜W(xué)鈍化時(shí)，加入的氧化劑濃度還不應(yīng)小于某一臨界值，不然不但不會(huì)導(dǎo)致鈍態(tài)，反將引起金屬更快的溶解。

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