微光顯微鏡光發(fā)射顯微鏡是器件分析過程中針對漏電失效模式，的分析工具。器件在設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造過程中有絕緣缺陷，或者期間經(jīng)過外界靜穿，均會(huì)造成器件漏電失效。漏電失效模式的器件在通電得狀態(tài)下，內(nèi)部形成流動(dòng)電流，漏電位置的電子會(huì)發(fā)生遷移，形成電能向光能的轉(zhuǎn)化，化學(xué)開封機(jī)，即電能以光能的方式釋放，化學(xué)開封機(jī)報(bào)價(jià)，從而形成200nm~1700nm紅外線。光發(fā)射顯微鏡主要利用紅外線偵測器，通過紅外顯微鏡探測到這些釋放出來的紅外線，從而的定位到器件的漏電點(diǎn)。

芯片失效分析步驟:

1、非破壞性分析：主要是超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）--看有沒delamination，xray--看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，等等；

2、電測：主要工具，萬用表，化學(xué)開封機(jī)價(jià)格，示波器， tek370a

3、破壞性分析：機(jī)械decap，化學(xué)開封機(jī)多少錢，化學(xué) decap芯片開封機(jī)

4、半導(dǎo)體器件芯片失效分析 芯片內(nèi)部分析，孔洞氣泡失效分析。

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EMMI偵測的到亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)情況；原來就會(huì)有的亮點(diǎn)、熱點(diǎn)(Hot Spot)飽和區(qū)操作中的BJT或MOS(Saturated Or Active Bipolar Transistors /Saturated MOS)動(dòng)態(tài)式CMOS (Dynamic CMOS)二極管順向與逆向偏壓崩潰 (Forward Biased Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)偵測不到亮點(diǎn)情況不會(huì)出現(xiàn)亮點(diǎn)的故障奧姆或金屬的短路(Ohmic Short / metal Short)亮點(diǎn)被遮蔽之情況埋入式接面的漏電區(qū)(Buried Juncti)金屬線底下的漏電區(qū)(Leakage Sites Under metal)




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