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基片置于合適的位置是獲得均勻薄膜的前提條件.
b、壓強的大小. 為了保證膜層質(zhì)量,壓強應(yīng)盡可能低Pr≦(Pa)
L表示蒸發(fā)源到基片的距離為L(cm)。
c、蒸發(fā)速率.蒸發(fā)速率小時,沉積的膜料原子(或分子)上立刻吸附氣體分子,因而形成的膜層結(jié)構(gòu)疏松,顆粒粗大,缺陷多;反之,膜層結(jié)構(gòu)均勻致密,機械強度高,處理鍍鈦哪里有,膜層內(nèi)應(yīng)力大.
d、基片的溫度.在通常情況下,基片溫度高時,吸附原子的動能隨之增大,形成的薄膜容易結(jié)晶化,并使晶格缺陷減少;基片溫度低時,則沒有足夠大的能量供給吸附原子,真空鍍鈦哪里有,因而容易形成無定形態(tài)薄膜.
PVD加工特點
1).PVD膜層能直接鍍在不銹鋼以及硬質(zhì)合金上,對比較軟的鋅合金、銅、鐵等壓鑄件應(yīng)行化學(xué)電鍍鉻,然后才適合鍍PVD,但是水鍍后做PVD容易起泡,不良率較高;
2).典型的 PVD 涂層加工溫度在 250 ℃—450 ℃之間;
3).涂層種類和厚度決定工藝時間,一般工藝時間為 3~6 小時;
4).PVD鍍膜膜層的厚度為微米級,厚度較薄,一般為0.3μm~5μm,其中裝飾鍍膜膜層的厚度一般為0.3μm~1μm,因此可以在幾乎不影響工件原來尺寸的情況下提高工件表面的各種物理性能和化學(xué)性能,并能夠維持工件尺寸基本不變,鍍后不須再加工;
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