非晶硅太陽能板光譜響應(yīng)的峰值與太陽光譜的峰值很接近。由于非晶硅材料的本征吸收系數(shù)很大，因此非晶硅太陽能板在弱光下的發(fā)電能力遠(yuǎn)高于晶體硅太陽能板。在1980年非晶硅太陽能板實現(xiàn)商品化后，日本三洋電器公司利用其制成計算器電源，此后應(yīng)用范圍逐漸從多種電子消費(fèi)產(chǎn)品，如手表、計算器、玩具等擴(kuò)展到戶用電源光伏電站等。非晶硅太陽能板成本低，便于大規(guī)模生產(chǎn)，易于實現(xiàn)與建筑一體化，有著巨大的市場潛力。

現(xiàn)在已投人實際應(yīng)用的是以非晶硅太陽電池為頂層、微晶硅太陽能板為底層的(sipe-S5)疊層太陽能板。目前微晶硅(B，=1eV)和非品硅(E。=1。7eV)的看層大電池轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)超過14，顯示出良好的應(yīng)用前景。然而，由于微品硅薄限中合有大量的非品鞋所以不能黎單品硅那樣直接形成PAN結(jié)面必須微成PIN結(jié)因此，如極放的來被缺街很低的本征法以及在溫度比較低的藝條件下制備非品社合很少的微品法集取，是今后進(jìn)一步提高微品硅太陽電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。

光伏發(fā)電中半片光伏組件的優(yōu)勢在組件戶外工作狀態(tài)下，半片組件自身溫度比常規(guī)整片組件溫度低1。6℃左右。減少遮擋損失，光伏系統(tǒng)中存在的微乎其微的樹蔭及電線陰影，光伏組件工廠，可導(dǎo)致電站發(fā)電量降低約20-30%。而在新發(fā)布的一個家用光伏巡檢報告中顯示，52。6%的電站存在著遮擋情況，而這些被遮擋的電站中外物遮擋占比46。4%，電站自身遮擋占比53。6%。

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