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離子鍍技術(shù)早由D. M. Mattox于1963年提出并付諸實踐的。其原理是在真空條件下,利用氣體放電使氣體或被蒸發(fā)物質(zhì)離化,在氣體離子或被蒸發(fā)物質(zhì)離子轟擊作用的同時,把蒸發(fā)物或其他反應(yīng)物鍍在基片上的工藝。
根據(jù)膜層粒子的獲得方式,離子鍍可分為蒸發(fā)型離子鍍和濺射型離子鍍,其中蒸發(fā)型離子鍍根據(jù)放電原理不同又可分為直流二級型離子鍍、熱絲弧離子鍍、空心陰極離子鍍以及熱陰極離子鍍等。
射頻濺射
采用射頻電源代替直流電源,在靶和襯底間施加高頻電壓,真空鍍鈦服務(wù),濺射時,靶極會產(chǎn)生自偏壓效應(yīng)(即靶極會自動處于負電位狀態(tài)),使絕緣靶的濺射得到維持。常用的頻率約為13.56兆赫。
優(yōu)點可以濺射所有材料,包括導體和絕緣體濺射可大規(guī)模生產(chǎn)
磁控濺射
磁控濺射通過在靶陰極表面引入正交電磁場,把二次電子束縛在靶表面,成螺旋狀運行來增強電離效率,增加離子密度和能量以增加濺射率。電源方面可同時配備直流和射頻兩種。
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